The present invention provides a low noise amplifier, including: connected end equivalent RF signal source with equivalent RF resistance; another end with the first coupling capacitor equivalent RF resistance connected to the first coupling capacitor; and the other end of the second coupling capacitor is, the drain electrode of the first transistor and the third transistor leakage a common node is connected to a gate, and the other end of the end of second, the feedback resistor transistor second coupling capacitor is connected to a node; the other end is connected to a second bias voltage feedback resistor; the gate of the first transistor with a first bias voltage, the first transistor has a drain connected to the first differential signal output end, the first end load resistance; the second transistor has a drain connected second differential signal output end and a second end load resistance; the first load resistance on the other One end of the third transistor is connected with the other end of the second load resistor, and the gate of the second transistor is connected with the drain of the first transistor.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路
,具体涉及一种低噪声放大器。
技术介绍
低噪声放大器(LNA)是射频收发机中的重要模块之一,主要用于通讯系统中将接收自天线的信号放大,以便于后级的接收机电路处理。由于来自天线的信号一般都非常微弱,低噪声放大器一般情况下均位于非常靠近天线的部位以减小信号损耗。正是由于噪声放大器位于整个接收机紧邻天线的最先一级,它的特性直接影响着整个接收机接收信号的质量。为了确保天线接收的信号能够在接收机的最后一级被正确的恢复,一个好的低噪声放大器需要在放大信号的同时产生尽可能低的噪音以及失真。随着现代移动通讯的发展,低噪声放大器要求能够适用于各种频率和协议的应用,因此对LNA的电感提出了更高的要求,尤其是要求LNA的电感可变,满足各种频率和协议应用的需要,从而使整个接收机成为一个宽带的接收机。输入端的阻抗匹配和噪声匹配是实现高增益和低噪声的关键,对输入端的阻抗匹配和噪声匹配影响最关键的是LNA的电感。但是电感消耗了较多的芯片面积,因此一种不用电感的LNA解决方案便是采用噪声消除结构。通过噪声消除结构LNA,可以在不使用电感的前提下,获得较好的增益和噪声。但是对于很多协议来说,这类噪声消除LNA的噪声仍然是不可接受的。
技术实现思路
为了克服以上问题,本专利技术旨在提供一种低噪声放大器,从而有效降低宽带噪声。为了达到上述目的,本专利技术提供了一种低噪声放大器,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一负载电阻、第二负载电阻、反馈电阻、等效射频电阻、第一耦合电容、第二耦合电容、等效射频信号源、第一差分信号输出端、第二差分信号输出端、电源、第一偏置 ...
【技术保护点】
一种低噪声放大器,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一负载电阻、第二负载电阻、反馈电阻、等效射频电阻、第一耦合电容、第二耦合电容、等效射频信号源、第一差分信号输出端、第二差分信号输出端、电源、第一偏置电压端和第二偏置电压端;其中,等效射频信号源的一端与等效射频电阻的一端相连接,通过等效射频电阻输入信号;等效射频信号源的另一端接地;等效射频电阻的另一端与第一耦合电容的一端相连;第一耦合电容的另一端与第二耦合电容的一端、第一晶体管的漏极、第三晶体管的漏极共同连接于一节点,第二耦合电容的另一端与反馈电阻的一端、第二晶体管的栅极连接于一节点;反馈电阻的另一端连接于第二偏置电压;第一晶体管的栅极连接第一偏置电压,第一晶体管的漏极连接第一差分信号输出端、且还连接于第一负载电阻的一端;第二晶体管的源极接地,第二晶体管的漏极连接第二差分信号输出端、且还连接于第二负载电阻的一端;第一负载电阻的另一端与第二负载电阻的另一端共同连接至电源的正极;第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极相连,第三晶体管的源极接地。
【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大器,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一负载电阻、第二负载电阻、反馈电阻、等效射频电阻、第一耦合电容、第二耦合电容、等效射频信号源、第一差分信号输出端、第二差分信号输出端、电源、第一偏置电压端和第二偏置电压端;其中,等效射频信号源的一端与等效射频电阻的一端相连接,通过等效射频电阻输入信号;等效射频信号源的另一端接地;等效射频电阻的另一端与第一耦合电容的一端相连;第一耦合电容的另一端与第二耦合电容的一端、第一晶体管的漏极、第三晶体管的漏极共同连接于一节点,第二耦合电容的另一端与反馈电阻的一端、第二晶体管的栅极连接于一节点;反馈电阻的另一端连接于第二偏置电压;第一晶体管的栅极连接第一偏置电压,第一晶体管的漏极连接第一差分信号输出端、且还连接于第一负载电阻的一端;第二晶体管的源极接地,第二晶体管的漏极连接第二差分信号输出端、且还连接于第二负载电阻的一端;...
【专利技术属性】
技术研发人员:李琛,任铮,段杰斌,史汉臣,
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司,成都微光集电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海;31
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