【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及一种低噪声放大器,特别涉及一种减少功耗的技术。
技术介绍
以往,就对用于各种电子设备等的低噪声放大器提出了提升其低噪声(noise)和低失真等特性的要求。此外,对电子设备的低功耗需求逐年上升,针对低噪声放大器的如下所述的技术的关注也在增长,该技术除了实现低噪声放大器的所述特性之外,还要实现低噪声放大器的减少功耗化。作为能够实现低噪声化、低失真化以及低功耗化的低噪声放大器,已知有将两个输入信号的差分放大后输出的放大器(例如参照专利文献1中的图5)。据此,用比较简单的电路构成低噪声放大器,这样能够实现功耗比专利文献1中的图3所示的结构还低的低功耗化。专利文献1:美国专利第6118340号说明书
技术实现思路
-专利技术要解决的技术问题-近年来,由于对电子设备的进一步低功耗化的需求升高,因此可以说,对用于电子设备的低噪声放大器而言,优选能够进一步减少其功耗。然而,所述低噪声放大器虽然能够将噪声特性和失真特性维持得比较良好,但是有时难以进一步减少功耗。本申请是鉴于所述问题而完成的,其所要解决的课题是:提供一种既能够良好地维持噪声特性和失真特性又能够实现进一步的低功耗化的低噪声放大器。-用以解决技术问题的技术方案-为了解决所述课题,通过本申请谋求了如下的解决方案。换言之,第一低噪声放大器,其将第一输入信号以及第二输入信号作为输入、并输出第一输出信号以及第二输出信号,所述第一低噪声放大器具备:用栅极接收所述第一输入信号的第一晶体管;栅极被偏置、源极与第一电位电连接、漏极与所述第一晶体管的漏极电连接的第二晶体管;栅极被偏置、源极与所述第一晶体管的漏极电连接的第三 ...
【技术保护点】
一种低噪声放大器,其将第一输入信号以及第二输入信号作为输入、并输出第一输出信号以及第二输出信号,所述低噪声放大器的特征在于:具备:用栅极接收所述第一输入信号的第一晶体管;栅极被偏置、源极与第一电位电连接、漏极与所述第一晶体管的漏极电连接的第二晶体管;栅极被偏置、源极与所述第一晶体管的漏极电连接的第三晶体管;栅极被偏置、源极与第二电位电连接、漏极与所述第三晶体管的漏极电连接的第四晶体管;栅极与所述第四晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与所述第一晶体管的源极电连接的第五晶体管;栅极与所述第四晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与输出所述第二输出信号的第二输出端子电连接的第六晶体管;一端与所述第一电位电连接、另一端与所述第二输出端子电连接的第一电阻元件;用栅极接收所述第二输入信号的第七晶体管;栅极被偏置、源极与所述第一电位电连接、漏极与所述第七晶体管的漏极电连接的第八晶体管;栅极被偏置、源极与所述第七晶体管的漏极电连接的第九晶体管;栅极被偏置、源极与所述第二电位电连接、漏极与所述第九晶体管的漏极电连接的第十晶体管;栅极与所述第十晶体管的漏极电连接、源极与所述第二 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.28 JP 2014-0698531.一种低噪声放大器,其将第一输入信号以及第二输入信号作为输入、并输出第一输出信号以及第二输出信号,所述低噪声放大器的特征在于:具备:用栅极接收所述第一输入信号的第一晶体管;栅极被偏置、源极与第一电位电连接、漏极与所述第一晶体管的漏极电连接的第二晶体管;栅极被偏置、源极与所述第一晶体管的漏极电连接的第三晶体管;栅极被偏置、源极与第二电位电连接、漏极与所述第三晶体管的漏极电连接的第四晶体管;栅极与所述第四晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与所述第一晶体管的源极电连接的第五晶体管;栅极与所述第四晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与输出所述第二输出信号的第二输出端子电连接的第六晶体管;一端与所述第一电位电连接、另一端与所述第二输出端子电连接的第一电阻元件;用栅极接收所述第二输入信号的第七晶体管;栅极被偏置、源极与所述第一电位电连接、漏极与所述第七晶体管的漏极电连接的第八晶体管;栅极被偏置、源极与所述第七晶体管的漏极电连接的第九晶体管;栅极被偏置、源极与所述第二电位电连接、漏极与所述第九晶体管的漏极电连接的第十晶体管;栅极与所述第十晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与所述第七晶体管的源极电连接的第十一晶体管;栅极与所述第十晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与输出所述第一输出信号的第一输出端子电连接的第十二晶体管;一端与所述第一电位电连接、另一端与所述第一输出端子电连接的第二电阻元件;以及与所述第一晶体管的源极和所述第七晶体管的源极电连接的第三电阻元件。2.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于:所述第一晶体管及所述第七晶体管这一对晶体管、以及所述第三晶体管及所述第九晶体管这一对晶体管中,至少一对晶体管是反向栅极与源极电连接的。3.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于:具备:栅极与所述第一晶体管的栅极电连接、源极与所述第六晶体管的漏极电连接、漏极与所述第二输出端子电连接的第十三晶体管;以及栅极与所述第七晶体管的栅极电连接、源极与所述第十二晶体管的漏极电连接、漏极与所述第一输出端电连接的第十四晶体管。4.根据权利要求3所述的低噪声放大器,其特征在于:对于所述第一晶体管、所述第七晶体管、所述第十三晶体管和所述第十四晶体管中各个晶体管,以及所述第三晶体管和所述第九晶体管中各个晶体管而言,至少一方晶体管是反向栅极与源极电连接的。5.根据权利要求1到4中任一项所述的低噪声放大器,其特征在于:具备:栅极被偏置、并在所述第一晶体管的源极与所述第五晶体管的漏极之间电连接的至少一个第十五晶体管;与所述第十五晶体管相对应地设置、并栅极被偏置、且在所述第二输出端子与所述第六晶体管的漏极之间电连接的至少一个第十六晶体管;栅极被偏置、并在所述第七晶体管的源极与所述第十一晶体管的漏极之间电连接的至少一个第十七晶体管;以及与所述第十七晶体管相对应地设置、并栅极被偏置、且在所述第一输出端子与所述第十二晶体管的漏极之间电连接的至少一个第十八晶体管。6.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于:具备一端与所述第一电位电连接的第四电阻元件,所述第四电阻元件的另一端、所述第一电阻元件的一端、所述第二电阻元件的一端电连接。7.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于:所述第三晶体管的栅极经由第一电容元件与所述第九晶体管的漏极电连接,所述第九晶体管的栅极经由第二电容元件与所述第三晶体管的漏极电连接。8.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于:在向所述第三晶体管以及所述第九晶体管中各个晶体管的栅极供给的偏置电位中,至少一个偏置电位是可变的。9.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于:具备第十九晶体管以及第二十晶体管中的至少一个,所述第十九晶体管的栅极被供给可变偏置电位,所述第十九晶体管与所述第三晶体管并联电连接,所述第二十晶体管的栅极被供给可变偏置电位,所述第二十晶体管与所述第九晶体管并联电连接。10.根据权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于:具备第一跨导可变电路以及第二跨导可变电路中的至少一个,所述第一跨导可变电路具有:并联电连接的多个所述第三晶体管;以及与所述多个第三晶体管中的每个晶体管相对应地设置、并在向该对应的第三晶体管的栅极供给偏置电位和不供给偏置电位之间进行切换的多个开关,所述第二跨导可变电路具有:并联电连接的多个所述第九晶体管;以及与所述多个第九晶体管中的每个晶体管相对应地设置、并在向该对应的第九晶体管的栅极供给偏置电位和不供给偏置电位之间进行切换的多个开关。11.根据权利要求1到10中任一项所述的低噪声放大器,其特征在于:所述第三电阻元件是可变电阻元件。12.一种低噪声放大器,其将第一输入信号以及第二输入信号作为输入、并输出第一输出信号以及第二输出信号,所述低噪声放大器的特征在于:具备:用栅极接收所述第一输入信号的第一晶体管;栅极被偏置、源极与第一电位电连接、漏极与所述第一晶体管的漏极电连接的第二晶体管;栅极与所述第一晶体管的漏极电连接、漏极与所述第一电位电连接的第三晶体管;栅极被偏置、源极与第二电位电连接、漏极与所述第三晶体管的源极电连接的第四晶体管;栅极与所述第四晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与所述第一晶体管的源极电连接的第五晶体管;栅极与所述第四晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与输出所述第二输出信号的第二输出端子电连接的第六晶体管;一端与所述第一电位电连接、另一端与所述第二输出端子电连接的第一电阻元件;用栅极接收所述第二输入信号的第七晶体管;栅极被偏置、源极与所述第一电位电连接、漏极与所述第七晶体管的漏极电连接的第八晶体管;栅极与所述第七晶体管的漏极电连接、漏极与所述第一电位电连接的第九晶体管;栅极被偏置、源极与所述第二电位电连接、漏极与所述第九晶体管的源极电连接的第十晶体管;栅极与所述第十晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与所述第七晶体管的源极电连接的第十一晶体管;栅极与所述第十晶体管的漏极电连接、源极与所述第二电位电连接、漏极与输出所述第一输出信号的第一输出端子电连接的第十二晶体管;一端与所述第一电位电连接、另一端与所述第一输出端子电连接的第二电阻元件;以及与所述第一晶体管的源极和所述第七晶体管的源极电连接的第三电阻元件。13.根据权利要求12所述的低噪声放大器,其特征在于:所述第一晶体管及所述第七晶体管这一对晶体管、以及所述第三晶体管及所述第九晶体管这一对晶体管中,至少一对晶体管是反向栅极与源极电连接的。14.根据权利要求12所述的低噪声放大器,其特征在于:具备:栅极与所述第一晶体管的栅极电连接、源极与所述第六晶体管的漏极电连接、漏极与所述第二输出端子电连接的第十三晶体管;以及栅极与所述第七晶体管的栅极电连接、源极与所述第十二晶体管的漏极电连接、漏极与所述第一输出端电连接的第十四晶体管。15.根据权利要求14所述的低噪声放大器,其特征在于:对于所述第一晶体管、所述第七晶体管、所述第十三晶体管和所述第十四晶体管中各个晶体管,以及所述第三晶体管和所述第九晶体管中各个晶体管而言,至少一方晶体管是反向栅极与源极电连接的。16.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴井高宏,木村博,
申请(专利权)人:株式会社索思未来,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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