【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种包括存储单元的半导体存储装置。
技术介绍
1、为了实现半导体存储装置的高度集成化而提出了使用埋入式电源布线(bpr：buried power rail)这一做法。该埋入式电源布线是设置于埋入式布线(buriedinterconnect)层的电源布线，而不是现有技术那样的设置在形成于晶体管的上层的金属布线层的电源布线。
2、在专利文献1中，sram单元(存储单元)的电源布线由埋入式电源布线构成。在专利文献1中，经由埋入式布线向sram单元的各晶体管供电。
3、专利文献1：国际公开第2020/255655号说明书
技术实现思路
1、-专利技术要解决的技术问题-
2、已经对将co、ru、w、mo等作为用于存储单元的埋入式电源布线的金属这一情况做了研究。这些金属的电阻比现有的设置于晶体管的上层的金属布线层中使用的cu等材料的电阻大。当电源布线的电阻值变大时，则会由于电源电压下降等而产生半导体存储装置的性能降低、可靠性降低、成品率降低等问题。
3、在此，在通过增大埋入式电源布线的布线宽度来降低电阻值的情况下，半导体存储装置的面积变大。特别是，由于埋入式电源布线是将电源布线埋入衬底中而形成的，因此不能在有晶体管的源极、漏极以及沟道存在的区域形成埋入式电源布线。其结果，埋入式电源布线的布线宽度的增大关系到半导体存储装置的面积的扩大。虽然也可以考虑增大埋入式电源布线的布线厚度来降低电阻值，但在增大布线厚度方面也会受到限制。
5、-用于解决技术问题的技术方案-
6、在本公开的方面中，包括：沿第一方向排列着布置的第一存储子阵列及第二存储子阵列；以及多个阱抽头单元，所述多个阱抽头单元布置在所述第一存储子阵列与所述第二存储子阵列之间，并且俯视时沿垂直于所述第一方向的第二方向排列着布置，所述第一存储子阵列及所述第二存储子阵列分别包括：布置成阵列状的多个存储单元；以及第一埋入式电源布线，所述第一埋入式电源布线形成于埋入式布线层，沿所述第一方向延伸，供给第一电源电压，所述阱抽头单元包括：第二埋入式电源布线，所述第二埋入式电源布线形成于所述埋入式布线层，沿所述第一方向延伸，与所述第一埋入式电源布线电连接，供给所述第一电源电压；以及第一布线，所述第一布线形成于比所述埋入式布线层更上层的布线层，沿所述第二方向延伸，与所述第二埋入式电源布线电连接，供给所述第一电源电压，所述阱抽头单元向所述存储单元的n阱或p型衬底供给第二电源电压。
7、根据该方面，在阱抽头单元的比埋入式布线层更上层的布线层，形成有供给第一电源电压的第一布线。第一布线经由形成于阱抽头单元的埋入式布线层的第二埋入式电源布线与形成于存储单元的埋入式布线层的第一埋入式布线电连接。这样一来，能够强化存储单元的第一埋入式电源布线的电源，因此在包括存储单元的半导体存储装置中，电源布线能够使用埋入式电源布线，并且抑制电源布线的电阻值的增加。由于阱抽头单元向存储单元的n阱或p型衬底供给第二电源电压，因此能够对存储单元的n阱或p型衬底的电位进行固定。
8、-专利技术的效果-
9、根据本公开，在包括存储单元的半导体存储装置中，电源布线能够使用埋入式电源布线，并且能够抑制电源布线的电阻值的增加。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于：
12.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体存储装置，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：
6.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于：
7.根...
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