【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及多次可编程器件及其制备方法。
技术介绍
1、mtp(multi time programming，多次可编程)器件是一种存储器件，它相对otp（onetime programming，一次可编程）存储器件而言，其编程过程是可逆的，可以进行多次编译，适合用于多变的场合，因此得到了广泛的应用。
2、传统技术中采用flash结构实现，flash结构是在电子存储层上设置控制栅，通过给控制栅施加电压，电子存储层上存储电子，施加反向电压时擦除电子，从而实现0和1的二进制转换。
3、然而flash结构导致存储器件具有较高厚度，限制其应用场景。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对flash结构厚度较大的问题，提供一种多次可编程器件及其制备方法。
2、第一方面，本申请提供一种多次可编程器件。包括：衬底，衬底包括第一阱区和第二阱区，第一阱区为第一导电类型，第二阱区为第二导电类型，第一阱区具有源极和漏极，第二阱区具有控制栅极，其中，源极、漏极和控制栅极均为第二导电类型；栅介质层，同时覆盖部分第一阱区的表面和部分第二阱区的表面，形成环形结构；以及浮栅结构，覆盖于栅介质层上，浮栅结构与栅介质层形状匹配，也为环形结构。
3、在其中一个实施例中，多次可编程器件还包括浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构设置在第一阱区和第二阱区之间，将第一阱区和第二阱区隔离。
4、在其中一个实施例中，第二阱区具有两个控制栅极，两个控制栅极分布于
5、在其中一个实施例中，第一导电类型为p型，第二导电类型为n型。
6、在其中一个实施例中，多次可编程器件还包括第一导电插塞、第二导电插塞及第三导电插塞，第一导电插塞与源极电连接，第二导电插塞与漏极电连接，第三导电插塞与控制栅极电连接。
7、第二方面，本申请还提供一种多次可编程器件的制备方法。该方法包括以下步骤：
8、提供衬底；
9、在衬底上形成第一阱区和第二阱区；第一阱区为第一导电类型，第二阱区为第二导电类型；
10、在第一阱区的表面和第二阱区的表面形成栅介质层；栅介质层为环形结构，同时覆盖部分第一阱区和部分第二阱区；
11、在栅介质层上形成浮栅结构；浮栅结构与栅介质层形状匹配，也为环形结构；
12、在第一阱区形成源极和漏极，并在第二阱区形成控制栅极；源极、漏极和控制栅极均为第二导电类型。
13、在其中一个实施例中，在衬底上形成第一阱区和第二阱区，第一阱区为第一导电类型，第二阱区为第二导电类型，包括：
14、刻蚀衬底形成沟槽，填充沟槽得到浅沟槽隔离结构；
15、分别向浅沟槽隔离结构的两侧执行离子注入工艺，以分别形成第一阱区和第二阱区；第一阱区为第一导电类型，第二阱区为第二导电类型。
16、在其中一个实施例中，在栅介质层上形成浮栅结构之后，多次可编程器件的制备方法还包括：
17、在浮栅结构侧面形成侧墙。
18、在其中一个实施例中，在栅介质层上形成浮栅结构之后，在浮栅结构侧面形成侧墙之前，多次可编程器件的制备方法还包括：
19、在第一阱区和第二阱区执行离子注入，以形成轻掺杂漏区；
20、在轻掺杂漏区执行口袋注入，以形成口袋掺杂区。
21、在其中一个实施例中，其特征在于，多次可编程器件的制备方法还包括：
22、形成第一导电插塞、第二导电插塞及第三导电插塞，第一导电插塞与源极电连接，第二导电插塞与漏极电连接，第三导电插塞与控制栅极电连接。
23、上述多次可编程器件及其制备方法，多次可编程器件包括衬底、栅介质层和浮栅结构。衬底中具有第一阱区和第二阱区，第一阱区具有源极和漏极，第二阱区具有控制栅极，且源极、漏极和控制栅极的导电类型与第二阱区相同，整体构成类似于cmos（complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体）的结构，但本质上第一阱区部分为mos（mosfet，metal oxidesemiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管），第二阱区部分仅作为导体。通过调节源极、漏极和控制栅极施加的电压，能够实现对多次可编程器件的写入、读取和擦除。本申请提供的器件能够兼容于各制程的半导体器件工艺，具有广泛的应用场景。
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1.一种多次可编程器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多次可编程器件，其特征在于，所述多次可编程器件还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构设置在所述第一阱区和所述第二阱区之间，将所述第一阱区和所述第二阱区隔离。
3.根据权利要求2所述的多次可编程器件，其特征在于，所述第二阱区具有两个控制栅极，两个所述控制栅极分布于位于所述第二阱区上的所述浮栅结构相对的两侧。
4.根据权利要求1所述的多次可编程器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。
5.根据权利要求1所述的多次可编程器件，其特征在于，所述多次可编程器件还包括第一导电插塞、第二导电插塞及第三导电插塞，所述第一导电插塞与所述源极电连接，所述第二导电插塞与所述漏极电连接，所述第三导电插塞与所述控制栅极电连接。
6.一种多次可编程器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的多次可编程器件的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成第一阱区和第二阱区，所述第一阱区为第一导电类型，所述第二阱区为第
8.根据权利要求6所述的多次可编程器件的制备方法，其特征在于，所述在所述栅介质层上形成浮栅结构之后，所述方法还包括：
9.根据权利要求8所述的多次可编程器件的制备方法，其特征在于，所述在所述栅介质层上形成浮栅结构之后，所述在所述浮栅结构侧面形成侧墙之前，所述方法还包括：
10.根据权利要求6-9任一项所述的多次可编程器件的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种多次可编程器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多次可编程器件，其特征在于，所述多次可编程器件还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构设置在所述第一阱区和所述第二阱区之间，将所述第一阱区和所述第二阱区隔离。
3.根据权利要求2所述的多次可编程器件，其特征在于，所述第二阱区具有两个控制栅极，两个所述控制栅极分布于位于所述第二阱区上的所述浮栅结构相对的两侧。
4.根据权利要求1所述的多次可编程器件，其特征在于，所述第一导电类型为p型，所述第二导电类型为n型。
5.根据权利要求1所述的多次可编程器件，其特征在于，所述多次可编程器件还包括第一导电插塞、第二导电插塞及第三导电插塞，所述第一导电插塞与所述源极电连接，所述第二导电插塞与所述漏极...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文智，张国伟，周文鑫，王建智，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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