【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种控制刻蚀图形偏差的方法和系统。
技术介绍
1、在半导体器件的工艺制程中，曝光显影的工艺参数与apc（advanced processcontrol）系统自动反馈有关，对晶圆上的光刻胶曝光显影后得到光刻图形，比较光刻图形对应的关键尺寸的量测值和关键尺寸的目标值后，得到关键尺寸的尺寸差异，并对尺寸差异进行模型计算后修正或补偿后边晶圆进行曝光显影的工艺参数，从而消除机台漂移对光刻图形的关键尺寸的影响。但是，光刻图形是形成刻蚀图形的中间图形（掩膜），最终得到的是刻蚀图形，通过光刻图形形成刻蚀图形的过程中存在一定的偏差，使得刻蚀图形的关键尺寸与关键尺寸的目标值不符。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种控制刻蚀图形偏差的方法和系统，可以优化形成预设图形的曝光显影工艺参数的修正，消除以预设图形为掩膜形成刻蚀图形过程中的偏差对刻蚀图形关键尺寸的影响。
2、本公开提供一种控制刻蚀图形偏差的方法，包括：
3、获取显影后预设图形的关键尺寸的目标值
4、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种控制刻蚀图形偏差的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的控制刻蚀图形偏差的方法，其特征在于，所述根据所述关键尺寸的目标值、所述关键尺寸的第一测量值、所述标准刻蚀偏差和所述变化率，得到下一次形成所述预设图形的曝光能量的补偿值的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的控制刻蚀图形偏差的方法，其特征在于，所述预设图形是由参照曝光机台形成的，所述根据所述关键尺寸的目标值、所述关键尺寸的第一测量值、所述标准刻蚀偏差和所述变化率，得到下一次形成所述预设图形的曝光能量的补偿值的步骤还包括：
4.根据权利要求1所述的控制刻蚀图形偏差...
【技术特征摘要】
1.一种控制刻蚀图形偏差的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的控制刻蚀图形偏差的方法，其特征在于，所述根据所述关键尺寸的目标值、所述关键尺寸的第一测量值、所述标准刻蚀偏差和所述变化率，得到下一次形成所述预设图形的曝光能量的补偿值的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的控制刻蚀图形偏差的方法，其特征在于，所述预设图形是由参照曝光机台形成的，所述根据所述关键尺寸的目标值、所述关键尺寸的第一测量值、所述标准刻蚀偏差和所述变化率，得到下一次形成所述预设图形的曝光能量的补偿值的步骤还包括：
4.根据权利要求1所述的控制刻蚀图形偏差的方法，其特征在于，还包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李海峰，张祥平，古哲安，沈俊明，吴建宏，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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