【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体湿法蚀刻装置及半导体机台。
技术介绍
1、在半导体湿法蚀刻制程中，单片式湿法蚀刻设备因其具有高蚀刻均匀性、良好的颗粒物去除能力，而被广泛运用于先进制程中。蚀刻喷淋管酸气会在湿法蚀刻设备腔室内凝结，造成腔室洁净度降低、污染晶圆的问题，甚至腐蚀设备本身。因此，存在待改进之处。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术在于提供一种半导体湿法蚀刻装置及半导体机台，用于解决现有技术中酸气会在设备腔室内凝结的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种半导体湿法蚀刻装置，包括：
3、腔室；
4、承载台，设置于所述腔室内，所述承载台用于承接晶圆；
5、机械臂；
6、蚀刻喷淋管，安装于所述机械臂的底部；以及
7、抽气件，设置于所述机械臂上。
8、在本技术的一个实施例中，所述抽气件的抽气口方向与所述蚀刻喷淋管的喷淋方向形成一个夹角，所述夹角在0°～90°范围。
9、在本技术的一个实施例中，所述抽气件包括多个抽气管道。
10、在本技术的一个实施例中，多个所述抽气管道包括酸性抽气管道、碱性抽气管道和中性抽气管道。
11、在本技术的一个实施例中，多个所述抽气管道位于同一高度上。
12、在本技术的一个实施例中，所述抽气件内设置有酸气过滤网。
13、在本技术的一个实施例中，所述抽气件内负压压力为-350
14、在本技术的一个实施例中，所述抽气口为圆形形状或者矩形形状。
15、在本技术的一个实施例中，所述抽气件的抽气口方向朝向所述蚀刻喷淋管的喷淋方向。
16、本技术还提出一种半导体机台，包括：
17、工作台；以及
18、半导体湿法蚀刻装置，设置于所述工作台上，所述半导体湿法蚀刻装置包括：
19、腔室；
20、承载台，设置于所述腔室内，所述承载台用于承接晶圆；
21、机械臂；
22、蚀刻喷淋管，安装于所述机械臂的底部；以及
23、抽气件，设置于所述机械臂上。
24、如上所述，本技术的一种半导体湿法蚀刻装置及半导体机台，具有以下有益效果：可提高湿法清洗设备腔室内的环境清洁度，可提高制程过程中的清洗能力，进而提高产品良率。
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1.一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，所述抽气件的抽气口方向与所述蚀刻喷淋管的喷淋方向形成一夹角，所述夹角在0°～90°范围。
3.根据权利要求1所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，所述抽气件包括多个抽气管道。
4.根据权利要求3所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，多个所述抽气管道包括酸性抽气管道、碱性抽气管道和中性抽气管道。
5.根据权利要求3所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，多个所述抽气管道位于同一高度上。
6.根据权利要求1所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，所述抽气件内设置有酸气过滤网。
7.根据权利要求6所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，所述抽气件内负压压力为-350pa～-250pa。
8.根据权利要求1所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，所述抽气件的抽气口为圆形形状或者矩形形状。
9.根据权利要求1所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，所述抽气件的抽气口方向朝
10.一种半导体机台，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，所述抽气件的抽气口方向与所述蚀刻喷淋管的喷淋方向形成一夹角，所述夹角在0°～90°范围。
3.根据权利要求1所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，所述抽气件包括多个抽气管道。
4.根据权利要求3所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，多个所述抽气管道包括酸性抽气管道、碱性抽气管道和中性抽气管道。
5.根据权利要求3所述的一种半导体湿法蚀刻装置，其特征在于，多个所述抽气管道位...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘苏涛，林士闵，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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