一种背照式图像传感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种背照式图像传感器及其制作方法，本发明专利技术通过对光电感应单元、金属栅格结构和深沟槽隔离结构形成制程进行优化，一方面能够有效降低对前段制程的影响，另一方面能够有效抑制串扰现象，大幅减少暗电流的产生，并且还能够改变光线入射后折射的角度，提高光线反射到PD区的数量，从而提高感光效率，进而大幅提高图像传感器的成像质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种背照式图像传感器，还涉及上述背照式图像传感器的制作方法。

技术介绍

1、图像传感器是指将光信号转换为电信号的装置，被广泛应用于摄影摄像、安防系统、智能便携电话、传真机、扫描器以及医疗电子等领域。其中，背照式图像传感器（bsi）具有更高的灵敏度、更好的布线布局以及允许高速记录等优点，常应用在对图像传感器的像素性能要求高的领域。在传统bsi制程里面，在前段制程要用高能量的离子植入来形成photo diode（光电感应区），这一方式会造成损伤（衬底表面的损伤）并且造成cross talk（串扰）不理想效应。

技术实现思路

1、专利技术目的：本专利技术目的之一旨在提供一种背照式图像传感器，本专利技术另一目的旨在提供上述背照式图像传感器的制作方法，该方法制得的图像传感器能够有效抑制串扰现象，减少暗电流，同时不会对前段制程产生影响，从而提高图像传感器的成像质量。

2、技术方案：本专利技术所述的背照式图像传感器，包括衬底、浅沟槽隔离结构、隔离层、深沟槽隔离结构、金属栅格结构和多个光电感应单元；本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背照式图像传感器，其特征在于：包括衬底、浅沟槽隔离结构、隔离层、深沟槽隔离结构、金属栅格结构和多个光电感应单元；其中，所述浅沟槽隔离结构由衬底正面延伸至衬底内；所述隔离层设置在衬底内且与浅沟槽隔离结构在衬底内的一端接触；在隔离层上依次沉积有SiP层、SiAs层和SiSb层，所述深沟槽隔离结构设置在SiP/SiAs/SiSb沉积区内，所述金属栅格结构设置在深沟槽隔离结构上方且由SiP/SiAs/SiSb沉积区内延伸至SiP/SiAs/SiSb沉积区外；所述深沟槽隔离结构和金属栅格结构内分别填充有不同质量比的冷、热铝；深沟槽隔离结构远离金属栅格结构的一端与浅沟槽隔离结构在衬底内的一端...

【技术特征摘要】

1.一种背照式图像传感器，其特征在于：包括衬底、浅沟槽隔离结构、隔离层、深沟槽隔离结构、金属栅格结构和多个光电感应单元；其中，所述浅沟槽隔离结构由衬底正面延伸至衬底内；所述隔离层设置在衬底内且与浅沟槽隔离结构在衬底内的一端接触；在隔离层上依次沉积有sip层、sias层和sisb层，所述深沟槽隔离结构设置在sip/sias/sisb沉积区内，所述金属栅格结构设置在深沟槽隔离结构上方且由sip/sias/sisb沉积区内延伸至sip/sias/sisb沉积区外；所述深沟槽隔离结构和金属栅格结构内分别填充有不同质量比的冷、热铝；深沟槽隔离结构远离金属栅格结构的一端与浅沟槽隔离结构在衬底内的一端接触；所述深沟槽隔离结构和金属栅格结构将sip/sias/sisb沉积区分隔成多个光电感应单元；其中，所述金属栅格结构中填充的热铝和冷铝质量比为 10：1~1.5；所述深沟槽隔离结构中填充的热铝和冷铝质量比为3：2。

2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于：还包括滤光结构，所述滤光结构设置在光电感应单元上，所述滤光结构的顶部呈向外凸起的圆弧状。

3.权利要求1所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的背照式图像传感器的制作方法，其特征在于：步骤（2）中，采用离子注...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，郑志成，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：