研磨方法及研磨设备技术

本公开涉及一种研磨方法及研磨设备。该研磨方法，应用于研磨工序，包括：获取前道工序中所得目标结构的厚度量测数据，厚度量测数据包括目标结构中多个量测点的厚度值；根据厚度量测数据确定第一最大厚度值；于第一最大厚度值小于第一阈值时，按照预设研磨参数对目标结构进行研磨；于厚度量测数据对应的最大厚度值大于或等于第一阈值时，对目标结构进行区域划分，并对目标结构的不同区域分别确定目标研磨参数，以根据目标研磨参数对区域进行研磨。本公开利于提高产品表面的均匀度，并有效提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，特别是涉及一种研磨方法及研磨设备。

技术介绍

1、化学机械研磨（chemical mechanical polishing，简称cmp）是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺，通过研磨头对晶圆的不同区域施加不同压力以控制研磨去除总量，从而实现晶圆表面的平坦化处理。其中，在对晶圆进行化学机械研磨过程中通过在线实时终点检测(end point detection，简称epd)来抓取研磨终点，是确保晶圆表面实现平坦化效果的关键。

2、然而，现有的晶圆制造工艺中，受到前道工序的影响，可能出现晶圆表面薄膜厚度单点异常的情况，使得在线实时终点检测难以针对该异常点位进行有效的量测及研磨控制，从而容易增加晶圆研磨过度或研磨不足等风险，导致降低产品良率。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提供了一种研磨方法及研磨设备，以有效提升产品良率。

2、为了实现上述目的，一方面，本公开一些实施例提供了一种研磨方法，应用于研磨工序，包括：获取前道工序中所得目标结构的厚度量测数据，厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种研磨方法，其特征在于，应用于研磨工序，包括：

2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述对所述目标结构进行区域划分，包括：以研磨头的圆心为起点，沿所述研磨头的半径方向依序将目标结构划分为多个环形区域。

3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述对所述目标结构的不同区域分别确定目标研磨参数，以根据所述目标研磨参数对所述区域进行研磨，包括：

4.根据权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的研磨方法，其特征在于，根据所述厚度量测数据对应的第一最大厚度值、所述第二厚度数据对应的第二最大厚度值以...

【技术特征摘要】

1.一种研磨方法，其特征在于，应用于研磨工序，包括：

2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述对所述目标结构进行区域划分，包括：以研磨头的圆心为起点，沿所述研磨头的半径方向依序将目标结构划分为多个环形区域。

3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述对所述目标结构的不同区域分别确定目标研磨参数，以根据所述目标研磨参数对所述区域进行研磨，包括：

4.根据权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的研磨方法，其特征在于，根据所述厚度量测数据对应的第一最大厚度值、所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：金文祥，彭萍，关徐东，王涛涛，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：