一种基于NMOS晶体管的90°移相器制造技术

本发明专利技术涉及一种基于ＮＭＯＳ晶体管的９０°移相器，属于射频微波集成电路设计技术领域。所述９０°移相器由输入端、被并行驱动的第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器、第一输出端和第二输出端构成；所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的ＮＭＯＳ晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻；所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的ＮＭＯＳ晶体管、电容以及两个并联相连的电容和电阻。本发明专利技术基于ＮＭＯＳ晶体管的９０°移相器用低成本、低功耗的ＣＭＯＳ工艺，小面积实现宽带９０°移相，并具有以下两个优点，一是没有传输损耗，能通过有源元件调整其增益；二是与标准ＣＭＯＳ工艺兼容，成本低，功耗低，集成度高且工作频带宽。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于ＮＭＯＳ晶体管的９０°移相器，由输入端（Ｖｉｎ）、第一二阶全通滤波器、第二二阶全通滤波器、第一输出端（ＶｏＩ）和第二输出端（ＶｏＱ）构成；所述第一二阶全通滤波器一端与所述输入端（Ｖｉｎ）相连，另一端与所述第一输出端（ＶｏＩ）相连；所述第二二阶全通滤波器一端与所述输入端（Ｖｉｎ）相连，另一端与所述第二输出端（ＶｏＱ）相连；所述第一二阶全通滤波器和第二二阶全通滤波器是被并行驱动的；　其特征在于，所述第一二阶全通滤波器包括两个串联相连的ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１）和（Ｍ２） 、电容（Ｃ１Ａ）、两个并联相连的电容（Ｃ１Ｂ）和电阻（Ｒ１），所述两个串联相连的ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ１）和（Ｍ２）与所述电容（Ｃ１Ａ）串联后，再与两个并联相连的电容（Ｃ１Ｂ）和电阻（Ｒ１）相并联；所述第二二阶全通滤波器包括两个串联相连的ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ３）和（Ｍ４）、电容（Ｃ２Ａ）、两个并联相连的电容（Ｃ２Ｂ）和电阻（Ｒ２），所述两个串联相连的ＮＭＯＳ晶体管（Ｍ３）和（Ｍ４）与所述电容（Ｃ２Ａ）串联后，再与两个并联相连的电容（Ｃ２Ｂ）和电阻（Ｒ２）相并联。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：雷牡敏，张海英，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]