一种半导体晶体管的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5）对多余的栅金属进行剥离。介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH4和NH3。整个生长过程的SiH4流量固定不变，各子层生长时的NH3流量固定不变但每个子层开始生长时NH3的流量随层数而递增，各子层厚度为10～30nm。本发明专利技术与现有技术相比，在高方向性的干法刻蚀条件下刻蚀栅脚，既能保证栅脚线宽损失小，也能使栅脚介质形状呈一定倾斜角度，提升了栅金属的覆盖性，进而提升了栅金属的可靠性，完善器件的制作工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种化合物半导体晶体管的工艺方法，属于半导体器件

技术介绍
化合物半导体器件的可靠性能是器件制作设计中需要考虑的核心因素之一，它涉及到器件的使用条件、使用场合、使用寿命等。人们通常先将SiN介质刻蚀制作出所需的结构，形成一定大小的介质窗口，再将栅金属淀积于介质窗口内及窗口两边的SiN上,这样SiN介质结构就与栅金属结构形成互补复制。但是在互补复制的过程中，可能进行的并不完善。随着栅金属淀积厚度的增加，介质窗口两侧的空间并不能淀积上金属。这样上层的栅金属可能通过介质窗口两边的通道与半导体材料接触，从而影响栅可靠性；且制作工艺过程中使用的有机溶剂等可能通过介质窗口两边的通道与半导体材料接触，影响器件可靠性。
技术实现思路
专利技术目的本专利技术的目的在于提供，其工艺简单，制作出的产品性能稳定。技术方案本 专利技术通过如下技术方案实现，包括如下步骤I)在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2)在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3)采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4)在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5)对多余的栅金属进行剥离。所述衬底为GaAs、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3?20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5）对多余的栅金属进行剥离。所述衬底为GaAs、GaN、SiC、InP化合物半导体衬底。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于包括如下步骤1)在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2)在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3)采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4)在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5)对多余的栅金属进行剥离。所述衬底为GaAs、GaN, SiC, InP化合物半导体衬底。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于所述介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH4和NH3。3.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于整个生长过程的SiH4...

【专利技术属性】
技术研发人员：章军云，高建峰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：