一种半导体晶体管的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5）对多余的栅金属进行剥离。介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH4和NH3。整个生长过程的SiH4流量固定不变，各子层生长时的NH3流量固定不变但每个子层开始生长时NH3的流量随层数而递增，各子层厚度为10～30nm。本发明专利技术与现有技术相比，在高方向性的干法刻蚀条件下刻蚀栅脚，既能保证栅脚线宽损失小，也能使栅脚介质形状呈一定倾斜角度，提升了栅金属的覆盖性，进而提升了栅金属的可靠性，完善器件的制作工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种化合物半导体晶体管的工艺方法，属于半导体器件

技术介绍
化合物半导体器件的可靠性能是器件制作设计中需要考虑的核心因素之一，它涉及到器件的使用条件、使用场合、使用寿命等。人们通常先将SiN介质刻蚀制作出所需的结构，形成一定大小的介质窗口，再将栅金属淀积于介质窗口内及窗口两边的SiN上,这样SiN介质结构就与栅金属结构形成互补复制。但是在互补复制的过程中，可能进行的并不完善。随着栅金属淀积厚度的增加，介质窗口两侧的空间并不能淀积上金属。这样上层的栅金属可能通过介质窗口两边的通道与半导体材料接触，从而影响栅可靠性；且制作工艺过程中使用的有机溶剂等可能通过介质窗口两边的通道与半导体材料接触，影响器件可靠性。
技术实现思路
专利技术目的本专利技术的目的在于提供，其工艺简单，制作出的产品性能稳定。技术方案本 专利技术通过如下技术方案实现，包括如下步骤I)在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2)在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3)采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4)在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5)对多余的栅金属进行剥离。所述衬底为GaAs、GaN, SiC, InP化合物半导体衬底。所述介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH4和NH3。整个生长过程的SiH4流量固定不变，各子层生长时的NH3流量固定不变。随层数增加，子层生长时需要的NH3的流量递增，最初层的NH3:SiH4流量比为O. 8 1. 2，每层的NH3递增量为O. 05-0. 2。SiH4的流量4 IOsccm,各子层生长速率10 30nm/min,各子层厚度为10 30nmo栅金属淀积于栅脚之上，栅金属完全与栅介质层接触。有益效果本专利技术与现有技术相比，在高方向性的干法刻蚀条件下刻蚀栅脚，既能保证栅脚线宽损失小，也能使栅脚介质形状呈一定倾斜角度，提升了栅金属的覆盖性，进而提升了栅金属的可靠性，完善器件的制作工艺。附图说明图1为生长完毕的SiN介质示意图；图2为掩膜后刻蚀的介质示意图；图3为沉淀棚金属后的半导体晶体管不意图；图4为另一实施方式的半导体晶体管示意图。具体实施例方式下面结合说明书附图对本专利技术进行进一步详述本专利技术涉及了，包括如下步骤首先，在衬底材料上生长SiN介质层，总共要生长3-20层，然后在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形，接着在栅介质层上刻蚀栅脚，采用干法ICP或者RIE法进行，最后在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属及对多余的栅金属进行剥离。本专利技术中，所述衬底为化合物半导体衬底，一般采用GaAs、GaN、SiC、InP等等。本专利技术中，所述介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH4和NH3，整个生长过程的SiH4流量固定不变，各子层生长时的NH3流量固定不变，但是随着层数的增加，生长子层的NH3的流量递增，最初层 的NH3: S化4流量比为0.8 1.2，每层的順3递增量为O. 05_0· 2 ο本专利技术中，SiH4的流量4 lOsccm，各子层生长速率10 30nm/min，各子层厚度为 10 30nm。本专利技术中，栅金属淀积于栅脚之上，栅金属完全与栅介质层接触。下面通过一个具体的例子来说明本专利技术如图1所示，本专利技术所提出的渐变栅介质晶体管在衬底材料I上制作，该材料可包括 GaAs、GaN、SiC、InP 等。在衬底I上采用PECVD生长SiN介质层2 11。具体的说SiN介质层2的生长气体SiH4的流量5sccm，NH3的流量5sccm，厚度为20nm ；SiN介质层3的生长气体SiH4的流量5sccm，NH3的流量5. 5sccm,厚度为20nm ；SiN介质层4的生长气体SiH4的流量5sccm, NH3的流量6sccm,厚度为20nm ；SiN介质层5的生长气体SiH4的流量5sccm，NH3的流量6. 5sccm,厚度为20nm ；SiN介质层6的生长气体SiH4的流量5sccm, NH3的流量7sccm,厚度为20nm ；SiN介质层7的生长气体SiH4的流量5sccm，NH3的流量7. 5sccm,厚度为20nm ；SiN介质层8的生长气体SiH4的流量5sccm, NH3的流量8sccm,厚度为20nm ；SiN介质层9的生长气体SiH4的流量5sccm，NH3的流量8. 5sccm,厚度为20nm ；SiN介质层10的生长气体SiH4的流量5sccm，NH3的流量9sccm，厚度为20nm ；SiN介质层11的生长气体SiH4的流量5sccm，NH3的流量9. 5sccm,厚度为20nm ；在S iN介质层11上利用掩膜21光刻栅脚，并采用干法刻蚀设备RIE或ICP刻蚀介质层2-11，形成需要的栅脚介质形貌，如图2所示。然后去除掩膜21，采用电子束蒸发淀积栅金属12，便得到了成品半导体晶体管，如图3所示。图4是本专利技术的另一个实施例，在栅脚刻蚀后，不将掩膜21去除而再淀积栅金属12。该实施例的介质层2 11和图2相同，掩膜2 1的厚度为300nm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3?20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5）对多余的栅金属进行剥离。所述衬底为GaAs、GaN、SiC、InP化合物半导体衬底。

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于包括如下步骤1)在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2)在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3)采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4)在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5)对多余的栅金属进行剥离。所述衬底为GaAs、GaN, SiC, InP化合物半导体衬底。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于所述介质层采用PECVD生长，生长主体气体为SiH4和NH3。3.根据权利要求1所述的一种半导体晶体管的制作方法，其特征在于整个生长过程的SiH4...

【专利技术属性】
技术研发人员：章军云，高建峰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：