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本发明涉及一种半导体晶体管的制作方法，包括如下步骤：1）在衬底材料上生长SiN介质层，生长3-20层；2）在介质层上过掩膜的光刻栅脚图形；3）采用干法ICP或者RIE在栅介质层上刻蚀栅脚；4）在刻蚀好的栅介质层上制作栅金属；5）对多余的栅金...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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