一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法，包括：晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板；进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻；进行沟槽刻蚀，形成沟槽；进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧；阱注入，形成阱和保护环。本发明专利技术利用氧化硅在元胞区内部去除速度远大于元胞区外围的性质，选择合适厚度的氧化硅，通过一次湿刻，在去除元胞区内氧化膜的同时在元胞区外围保留一定厚度的氧化硅作为场氧，只需要一次曝光，三次刻蚀，一次注入即能完成MOSFET器件沟槽和保护环的制作，降低了MOSFET器件沟槽和保护环的制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及ー种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法。
技术介绍
传统的沟槽和保护环エ艺实现方法包括生长热氧化膜，经曝光，氧化膜刻蚀和去光阻后形成元胞区，剰余的氧化膜作为场氧；沉积ー层氧化膜作为沟槽刻蚀硬模板，经曝光和硬模板刻蚀后形成沟槽图形；去除光阻和干刻蚀后形成沟槽；湿刻去除硬模板，得到场氧和沟槽结构；阱注入后形成阱和保护环；制作过程总共需要两次曝光，四次刻蚀和一次注入。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供ー种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法能减少MOSFET器件沟槽和保护环的制作步骤，降低制作成本。为解决上述技术问题，本专利技术的制作方法，包括(I)晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板；(2)进行曝光，氧化 膜刻蚀，去除光阻；(3)进行沟槽刻蚀，形成沟槽；(4)进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧；(5)阱注入，形成阱和保护环。步骤⑷中，保留场氧厚度(a)、原始氧化膜厚度(h)和元胞区沟槽间隔距离(d)之间关系为a く h-l/2d。本专利技术的制作方法利用氧化硅在元胞区内部去除速度远大于元胞区外围的性质，选择合适厚度的氧化硅，通过一次湿刻，在去除元胞区内氧化膜的同时在元胞区外围保留一定厚度的氧化硅作为场氧，只需要一次曝光，三次刻蚀，一次注入即能完成MOSFET器件沟槽和保护环的制作，降低了 MOSFET器件沟槽和保护环的制作成本。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进ー步详细的说明图1是本专利技术制造方法的流程图。图2是本专利技术一实施例的示意图一，显示步骤(I)在晶片上生长氧化膜厚度为h。图3是本专利技术一实施例的示意图ニ，显示步骤(3)对沟槽的刻蚀。图4是本专利技术一实施例的示意图三，显示步骤⑷湿刻的方向。图5是本专利技术一实施例的示意图四，显示步骤(4)湿刻后保留场氧。图6是本专利技术一实施例的示意图四，显示步骤(5)阱注入，形成阱和保护环。附图标记说明I是晶片2是氧化膜3是沟槽4是场氧5是阱6是保护环具体实施例方式本专利技术ー实施例，包括以下步骤(I)如图2所示，在晶片上生长氧化膜厚度为h，作为沟槽刻蚀的硬模板；(2)进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻；(3)如图3所示，进行沟槽刻蚀，形成沟槽间隔距离为d ；(4)如图4所示，进行湿刻，去除元胞区氧化膜；如图5所示保留场氧厚度为a，其中 a く h-l/2d ；(5)如图6所示，阱注入，形成阱和保护环。以上通过具体实施方式和实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改迸，这些也应视为本专利技术的保护范围`。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法，其特征是，包括以下步骤：(1)晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板；(2)进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻；(3)进行沟槽刻蚀，形成沟槽；(4)进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧；(5)阱注入，形成阱和保护环。

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法，其特征是，包括以下步骤 (1)晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板； (2)进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻； (3)进行沟槽刻蚀,形成沟槽； (4)进行湿刻，...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯行飞，张朝阳，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：