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本发明公开了一种MOSFET器件沟槽和保护环的制造方法，包括：晶片上生长氧化膜，作为沟槽刻蚀的硬模板；进行曝光，氧化膜刻蚀，去除光阻；进行沟槽刻蚀，形成沟槽；进行湿刻，去除元胞区氧化膜，保留场氧；阱注入，形成阱和保护环。本发明利用氧化硅在元...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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