RF LDMOS中改善漏电的方法技术

本发明专利技术公开了一种RF?LDMOS中改善漏电的方法，包括：1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围，淀积第一氧化层；2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；3）湿法去除栅极两侧的牺牲氧化层；4）进行源漏注入及侧墙工艺，完成RF?LDMOS的制作。本发明专利技术不仅工艺实现简单，而且可减少干法刻蚀带来的等离子聚合物带来的损伤，降低漏电。通过本发明专利技术栅刻蚀后的工艺修复，可将漏电在原来基础之上降低至少一个数量级，而且没有对其他参数产生任何影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路领域中改善漏电的方法，特别是涉及ー种RFLDMOS (射频横向扩散金属氧化物半导体)中改善漏电的方法。
技术介绍
P型RF LDMOS主要应用于开关，对导通电阻和漏电有很高的要求。而在复杂的エ艺中，刻蚀带来的离子聚合物损伤不可避免，所造成的漏电已经不能忽视。众所周知，硅片表面均匀的等离子聚合物是不会产生表面电荷的，但是对于复杂的图像刻蚀，如栅刻蚀、侧墙刻蚀等，就会在刻蚀的局部小范围内产生正向电荷，相反的，在刻蚀空间比较大的区域形成反向电荷，如果等离子聚合物分布均匀，正反向电场综合不会产生电流，但实际上，等离子聚合物是不均匀分布的，就会在硅片表面即栅氧化层中陷入电荷，产生电荷流动(如图1所示)，从而带来栅极与漏极或源极之间的漏电(如图2所示)。为了降低器件的漏电，就要尽量減少和清除掉等离子聚合物及其带来的损伤。然而，现有的RF LDMOS产品エ艺都没有对刻蚀所造成的损伤进行修复的步骤，以降低漏电。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供ー种RF LDMOS中改善漏电的方法。通过该方法，可将受到损伤的牺牲氧化层去除掉，能減少界面态电荷、悬挂键等，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RF?LDMOS中改善漏电的方法，其特征在于，包括步骤：（1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围，淀积第一氧化层；（2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；（3）湿法去除栅极两侧的牺牲氧化层；（4）进行源漏注入及侧墙工艺，完成RF?LDMOS的制作。

【技术特征摘要】
1.ー种RF LDMOS中改善漏电的方法，其特征在于，包括步骤 (1)在多晶硅栅极刻蚀形成后，在牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围，淀积第一氧化层； (2)干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙； (3)湿法去除栅极两侧的牺牲氧化层； (4)进行源漏注入及侧墙エ艺，完成RFLDMOS的制作。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：遇寒，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：