字线漏电点的定位方法技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种字线漏电点的定位方法，通过聚焦离子束对样品中字线进行间隔的接地，之后多次截断具有漏电点区域的字线直至明暗电压对比发生变化，则明暗电压对比发生变化时所对应的最后一个截断的区域即为漏电点所在；该技术方案可以将漏电点处的范围控制在2um之内，同时在使用聚焦离子束机台对样品进行制备时，因样品尺寸较小可以增加样品的放大倍率，能够较好的观察到样品的异常信息。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
传统的字线漏电的定位方法是通过机台光发射显微镜(Emiss1n Microscope，简称EMMI)、激光诱导电压或者电流变化显微镜(Optical Beam Induced ResistanceChange，简称OBIRCH)进行定位。对于光发射显微镜技术主要是利用半导体的发光原理，通过专用相机将光子捕捉并得到光发射分析图像，即可判断发光的具体位置即漏电位置；激光诱导电压或者电流变化显微镜主要是通过激光加热引起电阻变化，电阻变化引起电压或者电流变化，缺陷处的电阻较为敏感，从而定位出缺陷位置。通过上述两种方法均可以得到一张利用颜色对失效分析点即发光点或热点(hot spot))进行标记的光学图片，借助这张光学图片提供的信息，我们再在实际的样品上对漏电点进行定位。借助失效分析点的光学图片提供的信息，我们在实际的样品上对漏电点进行定位常用的方法即扫描电镜(Scanning Electron Microscopy简称，SEM)直接观察法，但是SEM直接观察法往往看不到具体的失效分析点(60%?70%直接观察法看不到失效分析点)，因此传统方式采用将光学图片与实际样品进行量测比对的方法进行定位，具体方法如图1和图2所示；其中A/B = A^ /Br (即确定X方向位置)，C/D = C /Dr (即确定Y方向位置)。但是实际上将光学图片与实际样品进行量测比对的准确度一方面受到光学图片的清晰度、角度、测试结构的特性以及大小等多个因素的影响，往往最终定位的准确度较差，其误差范围一般在3um?5um间；另一方面由于定位的尺寸较大，为了保证在样品进行切割过程中观察到整个失效分析点区域，其放大的倍率必然较小，导致无法观察到样品的漏电点，如图3所示。因此采用传统方式进行漏电点的定位，大大增加了后续透射电镜(Transmiss1nElectron Microscope，简称TEM)样品的制备时间(约为常规透射电镜样品制备时间的3?5倍)，甚至可能会由于定位误差范围较大而造成失效分析的失败。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供一种，以解决现有技术中无法精确的定位到字线的漏电点并导致后续样品的失效分析失败的问题。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种，其中，所述方法包括:步骤S1、提供一具有漏电点的样品，且所述样品包括依次排列的若干字线，且所述若干字线之上设置有硅化物层；步骤S2、去除部分样品以暴露所述硅化物层的上表面；步骤S3、于所述样品的一端部将所述字线以间隔的方式接地后，根据字线在透射电子显微镜中的明暗电压对比，以定位具有所述漏电点的字线；步骤S4、采用二分法沿垂直于所述字线延伸方向将所述样品切割为第一子样品和字线接地的第二子样品；同时观察所述第二子样品中所述漏电点的字线的明暗电压对比是否发生变化，若发生变化则继续步骤S5，否则执行步骤S6 ;步骤S5、由所述第二子样品中字线未接地的一端至接地的一端的方向，依次以预定距离将所述第二子样品截断成若干截断区域，且每次截断之后观察剩余的所述第二子样品中具有漏电点的字线的明暗电压对比，直至所述明暗电压对比发生变化为止；步骤S6、于所述第一子样品的一端部将所述字线以间隔的方式接地后，对所述第一子样品执行步骤S5;其中，所述字线的明暗电压对比发生变化所对应的最后一截断区域即为漏电点所在区域。较佳的，上述的，其中，步骤S5中，所述预定距离的取值范围为 1.5um ?2.5umο较佳的，上述的，其中，所述样品还具有设置于所述硅化物层之上的金属线层，去除所述金属线层以暴露所述硅化物层的上表面。较佳的，上述的，其中，采用化学机械研磨工艺以去除所述金属线层。较佳的，上述的，其中，通过聚焦离子束将所述字线以间隔的方式接地。一种，其中，所述方法包括: 步骤S1、提供一具有漏电点的样品，且所述样品包括依次排列的若干字线，且所述若干字线之上设置有硅化物层；步骤S2、对所述样品的漏电点进行热点区域定位后，以获取所述漏电点位于所述样品上的热点区域和非热点区域；步骤S3、去除部分样品以暴露所述硅化物层的上表面；步骤S4、于所述样品上热点区域的一端部将所述字线以间隔的方式接地后，根据字线在透射电子显微镜中的明暗电压对比，以定位具有所述漏电点的字线；步骤S5、沿垂直于所述字线延伸的方向将所述样品的热点区域和非热点区域进行切割后，形成包括接地的热点区域的第二子样品和包括非热点区域的第一子样品；由所述第二子样品中字线未接地的一端至接地的一端的方向，依次以预定距离将所述第二子样品截断成若干截断区域，且每次截断之后观察剩余的所述第二子样品中具有漏电点的字线的明暗电压对比，直至所述明暗电压对比发生变化为止；其中，所述字线的明暗电压对比发生变化所对应的最后一截断区域即为漏电点所在区域。较佳的，上述的，其中，通过机台光发射显微镜、激光诱导电压显微镜或激光诱导电流显微镜进行所述漏电点的热点区域定位。较佳的，上述的，其中，步骤S5中，所述预定距离的取值范围为 1.5um ?2.5um0较佳的，上述的，其中，通过聚焦离子束将所述字线以间隔的方式接地。上述技术方案具有如下优点或有益效果:本专利技术公开了一种，通过聚焦离子束对样品中字线一端进行间隔的接地，并根据聚焦离子束引起的明暗电压对比进行定位存在漏电点区域的字线，之后通过二分法将其截断为两个子样品并确认漏电点的具体区域位置，然后通过多次截断具有漏电点区域的字线直至明暗电压对比发生变化，则明暗电压对比发生变化时所对应的最后一个截断的区域即为漏电点所在；当然为了优化工艺，还可以预先定位字线漏电点的热点区域，并将包括热点区域的字线和未包括热点区域的字线截断后，针对具有漏电点的热点区域的样品单独进行分析，以精确定位漏电点所在，并且可以将漏电点处的范围控制在2um之内，同时在使用聚焦离子束机台对样品进行制备时，因样品尺寸较小可以增加样品的放大倍率，能够较好的观察到样品的异常信息。具体【附图说明】通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术及其特征、夕卜形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1是现有技术中热点定位失效分析点的示意图；图2是现有技术中扫描电镜定位失效分析点的示意图；图3是现有技术中样品的制备图；图4?图14是本专利技术中的流程结构示意图。【具体实施方式】本专利技术的核心思想为将字线接地后，依次截断并同时观察字线的明暗电压对比，明暗电压对比变化对应的最终截断的区域即为字线的漏电点所在区域。下面结合附图和具体的实施例对本专利技术作进一步的说明，但是不作为本专利技术的限定。为了精确的定位到字线的漏电点，本专利技术提供了一种字线漏电的定位方法。实施例一:步骤S1、提供一个字线上具有漏电点(如图14所示的漏电点3)的待失效分析的样品，该样品中具有依次排列的若干字线和设置在字线之上的硅化物(在一可选但非限制性的实施例中，该硅化物优选为硅化钴)层以及位于硅化物层之上的金属线层(图中未示出)。步骤S2、去除部分样品，具体的去除该样品中的金属线层以完全暴露出硅化物层的上表面，在该步骤中，除去样品的金属线层便于其在聚焦离子束(Focused本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种字线漏电点的定位方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、提供一具有漏电点的样品，且所述样品包括依次排列的若干字线，且所述若干字线之上设置有硅化物层；步骤S2、去除部分样品以暴露所述硅化物层的上表面；步骤S3、于所述样品的一端部将所述字线以间隔的方式接地后，根据字线在透射电子显微镜中的明暗电压对比，以定位具有所述漏电点的字线；步骤S4、采用二分法沿垂直于所述字线延伸方向将所述样品切割为第一子样品和字线接地的第二子样品；同时观察所述第二子样品中所述漏电点的字线的明暗电压对比是否发生变化，若发生变化则继续步骤S5，否则执行步骤S6；步骤S5、由所述第二子样品中字线未接地的一端至接地的一端的方向，依次以预定距离将所述第二子样品截断成若干截断区域，且每次截断之后观察剩余的所述第二子样品中具有漏电点的字线的明暗电压对比，直至所述明暗电压对比发生变化为止；步骤S6、于所述第一子样品的一端部将所述字线以间隔的方式接地后，对所述第一子样品执行步骤S5；其中，所述字线的明暗电压对比发生变化所对应的最后一截断区域即为漏电点所在区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢渊，李桂花，仝金雨，李品欢，肖科，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42