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本发明公开了一种RF?LDMOS中改善漏电的方法，包括：1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围，淀积第一氧化层；2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；3）湿法去除栅极两侧的牺牲氧化层；4）进行源漏注入及侧...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种RF?LDMOS中改善漏电的方法，包括：1）在多晶硅栅极刻蚀形成后，在牺牲氧化层表面和多晶硅栅极的周围，淀积第一氧化层；2）干法刻蚀淀积的第一氧化层，形成多晶硅栅极侧墙；3）湿法去除栅极两侧的牺牲氧化层；4）进行源漏注入及侧...