NMOS开关器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种NMOS开关器件的制作方法，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区；向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光；在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区；在所述P型衬底的上端面，利用热氧化形成栅氧化层；在所述栅氧化层的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧淀积氧化硅层并对其进行干刻，形成侧墙；选择性的进行源漏离子注入，形成N型源漏区域。本发明专利技术能有效降低源漏结电容，提高器件的阈值电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及本导体集成电路领域，特别是涉及一种NMOS (金属-氧化物-半导体)开关器件的制作方法。
技术介绍
半导体产品具有广阔的应用市场，在工业、农业、军事和民用等领域，半导体产品在控制、监测、娱乐等方面起着越来越重要的作用。因此全世界已经形成一个规模膨大的产业，发达国家如欧美日首先掌握半导体从设计到制造的先进技术；亚洲地区如韩国、台湾从半导体制造入手，也占有一席之地；中国作为发展中国家，因为拥有巨大的市场在最近十年也大力支持半导体集成电路生产技术的研发。IC (集成电路)产品种类繁多，如功率器件，射频器件，模拟和数字电路等。不同的应用需求也引领IC产品生产技术朝不同的方向发展。功率和电力电子器件的发展方向是更高电压，更强电流和更大功率，而对器件尺寸并不是很敏感。而数字电路的发展方向则是更低的功耗，更高的集成度(更小的器件尺寸)，更快的速度。因此数字电路产品的生产需要的是最先进的生产技术，以求在产品的性能和成本的平衡之间取得更高的产品利润。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种NMOS开关器件的制作方法，能有效降低源漏结电容，提高器件的阈值电压。为解决上述技术问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NMOS开关器件的制作方法，包括如下步骤：步骤1，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区；步骤2，向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光；其特征在于，还包括：步骤3，在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区；步骤4，在所述P型衬底的上端面，利用热氧化形成栅氧化层；步骤5，在所述栅氧化层的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶硅栅极；步骤6，在所述多晶硅栅极的两侧淀积氧化硅层并对其进行干刻，形成侧墙；步骤7，选择性的进行源漏离子注入，形成N型源漏区域。

【技术特征摘要】
1.ー种NMOS开关器件的制作方法，包括如下步骤 步骤1，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区； 步骤2，向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光； 其特征在于，还包括 步骤3，在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道掺杂区； 步骤4，在所述P型衬底的上端面，利用热氧化形成栅氧化层； 步骤5，在所述栅氧化层的上端面，通过淀积多晶硅的方式形成多晶硅栅极区域，再进行光刻、刻蚀形成多晶娃栅极； 步骤6，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：石晶，钱文生，刘冬华，胡君，段文婷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：