一种晶体管形成方法技术

一种晶体管形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面的材料含硅，所述衬底表面具有栅极；在所述栅极的表面以及衬底暴露的表面形成侧墙介质层；向所述侧墙介质层掺入碳离子；掺入碳离子后，刻蚀所述侧墙介质层，形成位于栅极侧壁的掺碳的侧墙；形成所述掺碳侧墙后，在栅极两侧的衬底内形成源、漏极；在所述源、漏极表面，及栅极表面形成金属层，所述金属层含镍；对所述金属层进行退火处理，镍与衬底表面的硅以及栅极表面的硅发生反应，形成镍硅化物层。通过本发明专利技术所提供的晶体管形成方法，可以提高晶体管的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别涉及。
技术介绍
自对准硅化物技术是一种通过在栅电极层和源/漏极表面形成金属硅化物层，从而减小栅电极层和源/漏区的电阻的工艺技术。镍、钼、钴等都是形成所述金属硅化物层的可选金属材料。在公开号为US 2010/0117238的专利中披露了一种镍硅化物层的形成方法。图1至图3为现有技术通过镍自对准硅化物技术形成镍硅化物层的过程的剖面结构示意图。首先如图1所示，提供衬底001，所述衬底001表面形成有栅极，所述栅极包括依次位于所述衬底001上的栅极氧化层021和栅电极层022，及位于所述栅电极层022两侧的侧墙030，所述侧墙030表面的材料是氮化硅。如图2所示，在所述栅极两侧的衬底001内形成源、漏极。如图3所示，在所述衬底001上形成镍层，所述镍层覆盖所述源、漏极的表面和栅极；对所述镍层进行退火，经过所述退火，镍层中的镍与衬底001中的硅进行反应形成镍硅化物层051，并去除镍层中未反应的部分。但是在实际中发现，通过上述方法形成的晶体管的可靠性比较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供，以解决现有方法形成的晶体管可靠性差的问题。为解决上述问题，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极；在所述栅极的侧壁形成掺碳侧墙；形成所述掺碳侧墙后，在栅极两侧的衬底内形成源、漏极；在所述源、漏极表面，及栅极表面形成镍硅化物层。

【技术特征摘要】
1.一种晶体管形成方法，其特征在于，包括提供衬底，所述衬底表面具有栅极；在所述栅极的侧壁形成掺碳侧墙；形成所述掺碳侧墙后，在栅极两侧的衬底内形成源、漏极；在所述源、漏极表面，及栅极表面形成镍硅化物层。2.如权利要求1所述的晶体管形成方法，其特征在于，形成所述掺碳侧墙的步骤包括形成侧墙介质层，所述侧墙介质层覆盖所述栅极和所述衬底暴露的表面；向所述侧墙介质层注入碳离子，并进行第一退火处理激活所掺入的碳离子；激活碳离子后，刻蚀所述侧墙介质层，形成位于栅极侧壁的侧墙。3.如权利要求1所述的晶体管形成方法，其特征在于，形成所述掺碳侧墙的步骤包括形成侧墙介质层，所述侧墙介质层覆盖所述栅极和所述衬底暴露的表面；刻蚀所述侧墙介质层，形成位于栅极侧壁的侧墙；向所述侧墙注入碳离子，并进行第一退火处理激活所掺入的碳离子。4.如权利要求2或3所述的晶体管形成方法，其特征在于，所述侧墙介质层包括依次形成的二氧化硅层和氮化硅层。5.如权利要求1所述的晶体管形成方法，其特征在于，所述侧墙的宽度是150A-400埃。6.如权利要求4所述的晶体管形成方法，其特征在于，所述氮化硅层是采用六氯乙硅烷为前驱，通过低压化学气相沉积工艺形成。7.如权利要求4所述的晶体管形成方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度是150-300埃。8.如权利要求2或3所述的晶体管形成方法，其特征在于，注入碳离子采用的是离子注入工艺或者等离子体掺杂工艺。9.如权利要求8所述的晶体管形成方法，其特征在于，采用离子注入工艺注入碳离子的工艺参数是注入能量为l_...

【专利技术属性】
技术研发人员：何永根，刘佳磊，禹国宾，吴兵，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：