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本发明公开了一种NMOS开关器件的制作方法，在P型衬底的上端利用有源区光刻打开浅槽区域，并刻蚀形成场氧区；向所述场氧区填入氧化硅，并进行化学机械抛光；在所述P型衬底的上端，位于场氧区之间利用光刻打开沟道掺杂注入区域，然后注入P型杂质形成沟道...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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