沟槽MOSFET器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽MOSFET器件的制造方法，通过在掺杂离子激活和推进之前在硅片表面淀积一层氮化硅来抑制沟槽顶部和侧壁硅的氧化，并在源极重掺杂区热推进后，将该层氮化硅去除，从而在后续的掺杂离子激活和推进的时候，避免了沟槽顶部和侧壁硅被氧化，从而可以降低多晶硅凹陷对器件的反向漏源电流的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体技术，特别涉及一种沟槽MOSFET器件的制造方法。
技术介绍
现在MOSFET(Metal-Oxide_Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化层-半导体-场效晶体管)普遍采用的是沟槽结构。沟槽MOSFET器件的常规制造方法如图1所示，其包括以下步骤一 .在娃片外延层I上方形成硬掩膜；二 .利用硬掩膜，在硅片外延层I上进行沟槽刻蚀，形成多个沟槽；三.在硅片上淀积栅氧化层4 ；四.在栅氧化层4上淀积多晶硅5 ；五.回刻多晶硅5，去除沟槽外的多晶硅5 ； 六.进行热过程，修复栅氧化层4 ；七.进行与硅片外延层I掺杂类型相反的杂质注入，并进行热推进，在硅片外延层I上形成体区2,体区2低于沟槽内的多晶娃5的上表面,高于沟槽内的多晶娃5的下表面；八.进行与硅片外延层I掺杂类型相同的杂质注入，并进行热推进，在体区2上方形成源极重掺杂区3 ；九.淀积层间介质，如氮化硅；十.通孔光刻刻蚀，栅极通孔到达多晶硅5 ；-| .通孔金属填充,金属连线形成。反向漏源电流IDSS作为表征MOSFET的一个重要性能参数，反向漏源电流IDSS的大小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在硅片外延层上方形成硬掩膜；二.利用硬掩膜，在硅片外延层上进行沟槽刻蚀，形成一个或多个沟槽；三.在硅片上淀积栅氧化层；四.在栅氧化层上淀积多晶硅；五.回刻多晶硅，去除沟槽外的多晶硅；六.在硅片上淀积一层氮化硅；七.进行与硅片外延层掺杂类型相反的杂质注入，并进行热推进，在硅片外延层上形成体区，体区低于沟槽内的多晶硅的上表面，高于沟槽内的多晶硅的下表面；八.进行与硅片外延层掺杂类型相同的杂质注入，并进行热推进，在体区上方形成源极重掺杂区；九.去除氮化硅；十.进行后续工艺。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤 一.在娃片外延层上方形成硬掩膜； 二 .利用硬掩膜，在硅片外延层上进行沟槽刻蚀，形成一个或多个沟槽； 三.在硅片上淀积栅氧化层； 四.在栅氧化层上淀积多晶硅； 五.回刻多晶硅，去除沟槽外的多晶硅； 六.在娃片上淀积一层氮化娃； 七.进行与硅片外延层掺杂类型相反的杂质注入，并进行热推进，在硅片外延层上形成体区，体区低于沟槽内的多晶硅的上表面，高于沟槽内的多晶硅的下表面； 八.进行与硅片外延层掺杂类型相同的杂质注入，并进行热推进，在体区上方形成源极重掺杂区； 九.去除氮化硅； 十.进行后续工艺。2.根据权利要求1所述的沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于， 所述后续工艺包括淀积层间介质、通孔光刻刻蚀、通孔金属填充、金属连线形成。3.根据权利要求1所述的沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于， 步骤六中，在硅片上淀积的一层氮化硅的厚度为60到200埃。4.根据权利要求3所述的沟槽MOSFET器件的制造方法，其特征在于， 步骤六中，在硅片上淀积的一层氮化硅的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹功勋，柯行飞，李江华，张朝阳，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：