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本发明公开了一种沟槽MOSFET器件的制造方法，通过在掺杂离子激活和推进之前在硅片表面淀积一层氮化硅来抑制沟槽顶部和侧壁硅的氧化，并在源极重掺杂区热推进后，将该层氮化硅去除，从而在后续的掺杂离子激活和推进的时候，避免了沟槽顶部和侧壁硅被氧化...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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