氧化物薄膜晶体管的制造方法技术

本发明专利技术公开了氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述氧化物半导体层包括沟道区域、以及分别处于所述沟道区域两侧的第一接触区域和第二接触区域，所述源极与第一接触区域接触，所述漏极与第二接触区域接触，所述氧化物半导体层采用氧化铟、氧化镓、氧化锌或氧化锡、或者铟、镓、锌、锡的二元或多元氧化物，采用电子束对所述第一接触区域和第二接触区域进行辐射。本发明专利技术提高了氧化物薄膜晶体管的场效应迁移率，同时减少或避免了电流拥挤现象；另外有效降低工艺温度，保持基板处于低温状态，因而可以采用柔性基板，并且可以降低工艺难度，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体管领域，具体涉及。
技术介绍
与目前在液晶显示器有源驱动矩阵中广泛采用的非晶硅TFT (薄膜场效应晶体管)相比，氧化物半导体TFT具有如下优势(I)场效应迁移率高；(2)开关比高；(3)制备工艺温度低；(4)可以制作大面积非晶薄膜，均匀性好，具有良好一致的电学特性；(5)受可见光影响小，比非晶硅和有机薄膜晶体管稳定；(6)可以制作成透明器件。在平板显示领域，氧化物TFT技术几乎满足包括AMOLED驱动、快速超大屏幕液晶显示、3D显示等诸多显示模式的所有要求。在柔性显示方面，衬底材料不能承受高温，而氧化物TFT的制备工艺温度低，与柔性衬底兼容，因而具备较大优势。但是，目前顶栅薄膜晶体管器件的性能较低，其表现在1、晶体管的场效应迁移率较低；2、TFT的输出特性在低漏极电压时，会出现电流拥挤现象。另外，目前的电极材料具有与有源层半导体材料并不相匹配的功函数。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，以使晶体管的场效应迁移率更高，且在薄膜场效应晶体管在低漏极电压时，不容易出现电流拥挤现象，本专利技术提供了。，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述氧化物半导体层包本文档来自技高网...

【技术保护点】
氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，其特征是：所述氧化物半导体层包括沟道区域、以及分别处于所述沟道区域两侧的第一接触区域和第二接触区域，所述源极与第一接触区域接触，所述漏极与第二接触区域接触，所述氧化物半导体层采用氧化铟、氧化镓、氧化锌或氧化锡、或者铟、镓、锌、锡的二元或多元氧化物，采用电子束对所述第一接触区域和第二接触区域进行辐射。

【技术特征摘要】
1.氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，其特征是所述氧化物半导体层包括沟道区域、以及分别处于所述沟道区域两侧的第一接触区域和第二接触区域，所述源极与第一接触区域接触，所述漏极与第二接触区域接触，所述氧化物半导体层采用氧化铟、氧化镓、氧化锌或氧化锡、或者铟、镓、锌、锡的二元或多元氧化物，采用电子束对所述第一接触区域和第二接触区域进行辐射。2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征是所述第一接触区域设置在源极表面，所述第二接触区域设置在漏极表面，栅极绝缘层和栅极依次设置在所述沟道区域表面，电子束从栅极表面一侧对所述第一接触区域、第二接触区域、源极和漏极进行辐射。3.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征是所述源极设置在第一接触区域表面，所述漏极设置在第二接触区域表面，栅极绝缘层和栅极依次设置在所述沟道区域表面，电子束从栅极表面一侧对所述源极、漏极、第一接触区域和第二接触区域进行辐射。4.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征是栅极设置在基板的表面，所述氧化物薄膜晶体管还包括刻蚀阻挡层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘萍，
申请(专利权)人：深圳丹邦投资集团有限公司，
类型：发明
国别省市：