温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了氧化物薄膜晶体管的制造方法，所述氧化物薄膜晶体管包括氧化物半导体层、源极和漏极，所述氧化物半导体层包括沟道区域、以及分别处于所述沟道区域两侧的第一接触区域和第二接触区域，所述源极与第一接触区域接触，所述漏极与第二接触区域接触，所...
该专利属于深圳丹邦投资集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳丹邦投资集团有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。