一种薄膜晶体管生长工艺制造技术

本发明专利技术提供一种IGMZO?TFT生长工艺及TFT流片工艺，该IGMZO生长工艺包括：1)腐蚀ITO玻璃；2)生长IGMZO复合层结构，其中，IGMZO复合层TFT器件后期制备流程包括1)刻蚀Al；2)湿法腐蚀IGMZO。在TFT流片工艺中，注意在有源层IGMZO生长过程，减少材料缺陷、优化沟道电导性能，控制栅绝缘层IGMZO的尺寸生长。从而获得低驱动电压、高开关比的TFT器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及IGMZO TFT生长工艺及TFT流片工艺。
技术介绍
a-S1:H TFT作为有源开关器件，在TFT-LCD中得到广泛的应用。但是，a_S1:H TFT 的最大的缺点是场效应迁移率低，同时由于a-Si的禁带比较窄，使得其在可见光范围内不透明，这就极大的限制了 a-s1:H TFT的应用范围，尤其是a-s1: H TFT不能用来制作启动电路，TFT-1XD需要配置专用的外围驱动电路，提高了制造成本，降低了可靠性。透明半导体氧化物作为开关器件的先决条件是禁带宽度大于3eV，具有高电导性和高光透过率(>80%)。其他透明的宽禁带半导体BaN和SiC目前也有研究用于TFT。但是，宽禁带半导体氧化物有更现实的前景，因为它们可以在低温下生长，这样衬底的选择将会更多，包括玻璃和有机物。在所有的氧化物半导体材料中，ZnO由于具有低温生长的特性和高电导而受到广泛的关注。ZnO结构决定了 TFT器件的闽值电压及其电传导特性的好坏。 半导体ZnO薄膜材料呈强η型，载流子浓度可以达到1020/cm3，单晶ZnO迁移率可以达到 200cm2/V · s，有利于形成多数载流子为电子的耗尽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGMZO?TFT生长工艺，其特征在于该IGMZO生长工艺包括：腐蚀ITO玻璃；生长IGMZO复合层结构其中，IGMZO复合层TFT器件后期制备流程如下：刻蚀Al；湿法腐蚀IGMZO。

【技术特征摘要】
1.一种IGMZO TFT生长工艺，其特征在于该IGMZO生长工艺包括腐蚀ITO玻璃；生长IGMZO复合层结构其中，IGMZO复合层TFT器件后期制备流程如下刻蚀Al ；湿法腐蚀IGMZO。2.如权利要求1所述的IGMZOTFT生长工艺，其特征在于，上述腐蚀ITO玻璃包括使用腐蚀液 HN03 H20 HCI =1:2 :3，水浴 50°C I 分钟。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲志乾，于正友，魏薇，
申请(专利权)人：青岛盛嘉信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：