【技术实现步骤摘要】
选极晶体管,即可以选择管基电极的晶体管,属于半导体器件类。本技术可以用于制造所有晶体三极管和二极管以及其它有源和无源元器件,多子器件、达林顿器件、IC、功能块等。在半导体器件中迄今广泛采用B、F型管基,有机械强度高、气密性好、成本适中三大优点。但是这类器件也有三大缺点管基多与高电位相连,使其在电路中分布参量大、极间反馈大,影响整机的稳定性;这类晶体管的公共端引线电感大,输出、输入间反馈电容大,造成器件的频率上限低,难以应用于微波领域。用H型、P型封装方法制造的器件虽然能克服上述缺点,但它们的机械强度和气密性都很差,而且制造成本高。为了寻找一种较为完善的半导体器件,我们设计了一种可以选择管基电极的晶体管即选极晶体管。该晶体管利用绝缘性能好导热性能强的材料将芯片和管基结合在一起,通过绝缘导热层上的金属涂层可以选择任一电极与管基相连,具有安全性和灵活性。该晶体管公共端内引线可以做得尽可能短,减小了引线电感,提高了器件的频率上限。该晶体管选用了与管芯半导体材料热膨胀系数相近的绝缘导热材料,使器件的抗热疲劳性能大大提高。以双极性晶体管为例,将芯片与管基之间隔以绝缘导热层就可以分别制造出发射极与管基相联的晶体管(附图说明图1.1),基极与管基相联的晶体管(图1,2),集电极与管基相联的晶体管(图1,3),也可以制造出三个电极都不与管基相联的晶体管(图1.4)。图2是各种晶体管对应的电原理图,此种晶体管热流仍由芯片下方传到管基,实现了热流通路和电流通路的分离。此绝缘材料可以预先烧结在管基上,也可以在烧结芯片的同时或之后引入。同时引入即将焊片放在管基上,在焊片上放上绝缘片, ...
【技术保护点】
选极晶体管其特征在于:a,芯片与管基之间采用贴片式或钳入式加一绝缘导热材料,使得晶体管任一电极均可与管基连接或任何电极均不与管基连接[图1]。b,在管基上顶起金属台高度与芯片上表面相平或稍高用于联接内引线。c,管帽之上烧结一个高度为0.002-0.003米的螺帽。d,绝缘材料预先烧结在管基上或与管芯同时烧结。
【技术特征摘要】
1.选极晶体管其特征在于a,芯片与管基之间采用贴片式或钳入式加一绝缘导热材料,使得晶体管任一电极均可与管基连接或任何电极均不与管基连接[图1]。b,在管基上顶起金属台高度与芯片上表面相平或稍高用于联接内引线。c,管帽之上烧结一个高度为0.002-0.003米的螺帽。d,绝缘材料预先烧结在管基上或与管芯同时烧结。2.根据权利要求1,绝缘材料可以是BeO、MgO、Al2O3、SiC熔铸云母、粘合剂及其与Mo、Fe、Cu、Al...
【专利技术属性】
技术研发人员:苗庆海,张兴华,王家俭,任中早,张德骏,李如尧,
申请(专利权)人:山东大学,
类型:发明
国别省市:37[中国|山东]
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