【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造工艺
，具体涉及在晶体管的有源区的源漏区域和栅极区域分两次形成硅化物的工艺。
技术介绍
随着集成电路的不断发展，晶体管的最小线宽不断缩小。目前主流工艺0.18μm技术就是指栅极的长度为0.18微米。在线宽不断缩小的同时，为了提高晶体管的性能，源/漏结的深度也在不断减小，在0.18微米工艺下结的深度只有数十~一百几十纳米。相应的，在0.18um工艺下，硅化物的厚度一般在55nm左右；在0.13um工艺下，硅化物厚度一般在40nm左右；而在90nm工艺下，硅化物厚度一般在28nm左右。目前的集成电路制造工艺中都使用硅化物工艺技术来减少源漏区域和多晶电极的电阻。无论是0.35/0.25微米技术的钛硅化物(TiSi2)还是0.18/0.13微米技术的钴硅化物(CoSi2)都用到了两步硅化物形成工艺。在首先PVD淀积形成硅化物所需的金属后，通过第一次较低温度的快速热退火(RTP1)处理淀积的金属形成高电阻的硅化物。然后通过化学溶剂APM(氨水和双氧水混合)/SPM(硫酸和双氧水混合)去除在场氧化层和栅极侧壁边墙(spacer)上残留的或未...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在晶体管的有源区域形成硅化物的工艺，其特征在于在栅极区域沉积相对较厚的硅化物，在源漏区域沉积相对较薄的硅化物，前者与后者的厚度之比大于1，小于10。2.根据权利要求1所述的形成硅化物的工艺，其特征在于通过淀积介质膜作为掩膜，首先挡住有源区域中源漏区域，通过金属溅射和退火使栅极区域形成硅化物后，再淀积介质膜挡住已形成硅化物的栅极区域，经刻蚀暴露出源漏区域后，再通过金属溅射和退火使源漏区域形成比栅极区域硅化物薄的另一厚度硅化物。3.根据权利要求1所述的形成硅化物的工艺，其特征在于通过淀积介质膜作为掩膜，首先挡住有源区域中栅极区域，通过金属溅射和退火使源漏区域形成硅化物后，再淀积介质膜挡住已形成硅化物的源漏区域，经刻蚀暴露出栅极区域后，再通过金属溅射和退火使栅极区域形成比源漏区域硅化物厚的另一厚度硅化物。4.根据权利要求1、2、3所述的形成硅化物的工艺，其特征在于上述源漏区域形成的硅化物的厚度控制在10~70nm；上述栅极区域形成的硅化物的厚度控制在12~100nm。5.根据权利要求1、2、3所述的形成硅化物的工艺，其特征在于上述形成的硅化物为多种金属硅化物Ti硅化物、Co硅化物和Ni硅化物。6.根据权利要求5所述的形成硅化物，其特征在于对于形成Ti、Co硅化物，基本步骤是1)栅极spacer形成后，用介质覆盖整个硅片；2)通过光刻、刻蚀令介质覆盖住栅极区域，打开源漏区域；3)经过HF漂洗后溅射所需金属；4)通过低温快速热退火形成硅化物，并将不需要的金属给腐蚀掉；5)再次在硅片表面淀积介质；6)通过刻蚀打开栅极区域；7)再次经过HF漂洗后溅射所需金属；8)通过低温快速热退火形成硅化物，并将不需要的金属给腐蚀掉；9)通过刻蚀再次打开源漏区域，然后通过高温快速热退火，实现需要的低电阻硅化物；上述过程中，步骤1、5所用介质为SiO2、SiN或者SiON，厚度在10-30nm之间；步骤3、7所用溅射的金属厚度在6-40nm之间；步骤4、8所用低温热退火，对于Ti在600-800℃之间，对于Co在400-600℃之间；步骤9所用高温热退火，对于Ti在700-900℃之间，对于Co在650-850℃之间。7.根据权利要求6所述的形成硅化物的工艺，其特征在于上述的步骤2)通过光刻、刻蚀令介质覆盖住栅极区域，打开源漏区域，改为通过光刻、刻蚀令介质覆盖住源漏区域，打开栅极区域；上述步骤6)通过刻蚀打开栅极区域，相应改为通过刻蚀打开源漏区域；上述步骤9相应改为再次打开栅极区域。...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡恒声，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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