一种用于化学机械抛光的抛光头结构，其特征是，加压气囊由多个相互独立的加压气囊腔组成。

本发明是在集成电路制造工艺中一种形成浅结的方法。目前，都是在源漏注入后，退火激活成结了，才开始硅化物制备的工艺。使用这种方法，会引起可靠性的问题，主要是漏电。同时硅化物工艺对晶体管最终的性能也会有一定的影响。本发明是先形成硅化物再注入杂...

本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了提高光刻的质量，方法之一是采用底部抗反射薄膜（ＢＡＲＣ）的工艺。ＢＡＲＣ分为：有机ＢＡＲＣ和无机ＢＡＲＣ两种。本发明提出一种将无机和有机ＢＡＲＣ结合在一起的复合抗反射膜结构，其中无机ＢＡＲＣ在下，有...

本发明是集成电路制造工艺中一种同时形成硅化物和源漏浅结的方法。目前，都是在源漏注入后，退火激活成结，才开始硅化物制备的工艺。使用这种方法，会引起可靠性的问题，同时对晶体管最终的性能也会有影响。本发明是硅衬底上先淀积形成硅化物所需要的金属...

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及到一种光刻用无机抗反射膜ＳｉＯＮ的表面处理方法。目前ＳｉＯＮ作为一种无机抗反射膜材料；其缺点是：光刻胶底膜的留存问题，这在很大定程度上影响了图形转移的准确性；并且随着工业生产中光刻向深紫...

本发明涉及一种集成电路深亚微米沟道及源漏制造技术中的工艺集成方法。０．１５μ至０．１８μＣＭＯＳ制造工艺采用ＬＤＤ　ＮＭＯＳ器件结构和“仅有重掺杂源漏”的ＰＭＯＳ器件结构。在ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ器件边墙工艺完成之后，对两种器件同时进行Ｎ型...

目前的钴硅化物制备工艺通常采用双层金属的办法，即Ｃｏ／Ｔｉ法，通过在Ｃｏ金属的上方淀积一定厚度的Ｔｉ金属，来消除外界条件（如净化室和反应腔体中的氧）和硅片表面天然氧化物对Ｃｏ形成硅化物的影响。我们在Ｃｏ的上下分别ＰＶＤ淀积一层金属，其中...

在先进的半导体制造工艺中，无机抗反射层能有效降低衬底反射。但光刻完成后如何有效地去除这些无机抗反射层往往成为工艺难点。本发明通过反版刻蚀来去除无机抗反射层。其方法是在ＨＤＰ淀积后增加一次ＳＴＩ反版光刻，通过干法刻蚀的方法去除有源区区域的...

本发明用气相或液相淀积形成的纳米粒子有序阵列和图案取代传统光刻等工艺中的曝光形成的掩膜，将可制作的纳米结构尺寸发展到１０ｎｍ以下。而所采用的刻蚀工艺却是与传统工艺兼容的。特别是在本方案中，采用共聚物薄膜作为模板引导纳米粒子的组装，只需获...

在先进的集成电路制造工艺中，通常使用硅化物工艺降低晶体管的源漏区域和多晶硅电极的电阻。硅化物形成过程中产生多余金属。本发明采用加入臭氧的化学溶剂去除残留金属，既可以向ＡＰＭ／ＳＰＭ中通入一定量的臭氧，也可以用臭氧替代ＡＰＭ／ＳＰＭ中的双...

在先进的集成电路制造工艺中，通常使用硅化物工艺降低晶体管的源漏区域和多晶硅电极的电阻。硅化物形成过程中会产生多余金属。本发明采用等离子体干法刻蚀的方法去除残留金属，包括采用各向同性等离子体刻蚀，和采用各向异性等离子体刻蚀，使用等离子体干...

本发明是一种可消除硅锥现象影响的双硬掩膜ＣＭＰ工艺。浅槽隔离技术（ＳＴＩ）是随着深亚微米集成电路技术的发展，而产生的一种新兴的场区隔离技术。该技术具有特征尺寸小、集成度高、隔离效果好的特点。但是，该技术同时存在工艺复杂、控制困难的问题，...

ＳｉＯＮ是一种很有前途的一种无机抗反射膜材料；然而它的缺点是：存在光刻胶底膜的留存问题，主要原因是由于ＳｉＯＮ表面的胺基（－ＮＨ＃－［２］）集团与光刻胶反应所致，这在很大定程度上影响了图形转移的准确性；随着工业生产中光刻向深紫外短波长转...

ＳｉＯＮ是一种很有前途的无机抗反射膜材料，然而它的缺点是：存在光刻胶底膜的留存问题，主要原因是由于ＳｉＯＮ表面的胺基（－ＮＨ＃－［２］）集团与光刻胶反应所致，这在很大的程度上影响了图形转移的准确性。随着工业生产中光刻向深紫外短波长转移－...

本发明是一种ＣＶＤ淀积ＴｉＮ薄膜的集成电路制造工艺，是用化学汽相淀积（ＣＶＤ）方法，利用含Ｔｉ的化学物质ＴＤＭＡ，淀积一层ＴｉＮ薄膜。并在原位进行Ｈ＃－［２］－Ｎ＃－［２］射频等离子处理。第一步淀积工艺的目的是制备出均匀的、具有较高的台...

本发明是一种深亚微米集成电路Ｃｕ阻挡层的制造工艺，采用ＩＰＶＤ工艺淀积ＴａＳｉＮ作为Ｃｕ扩散阻挡层，选择Ｔａ作为与Ｃｕ金属相邻的阻挡层材料。在化学电镀Ｃｕ时采用加交变电场和电镀添加剂，用快速热退火对Ｃｕ进行热处理，接着进行化学机械抛光，...

本发明涉及一种深亚微米双氮化硅浅槽隔离技术中底层无机抗反射层ＳｉＯＮ的集成方法。通过在场保护氮化硅上增加淀积一定厚度的无机抗反射层ＳｉＯＮ，减缓化学机械抛光（ＣＭＰ）工艺对小有源区周围场保护氮化硅层的磨削，从而保证场隔离二氧化硅对小有源...

本发明是一种双大马士革结构铜阻挡层的沉积方法。铜作为新的连线材料运用在集成电路制造工艺中。由于铜对半导体器件的危害性，所以淀积铜之前，应先淀积一层阻挡层，以防止铜的扩散。目前一般采用离子化物理气相淀积工艺淀积阻挡层。阻挡层在介质层与铜之...

本发明是一种基于Ａｌ金属布线的工艺，其主要特点是：利用物理淀积的方法，在同一台设备中连续淀积Ｔａ、ＴａＮ、Ｔａ、Ａｌ、ＴａＮ等多层薄膜，其中，Ａｌ金属中加入Ｃｕ和Ｓｉ原子，以提高Ａｌ金属布线的抗电迁移能力。在Ａｌ层下面为复合阻挡层，可防...

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，具体涉及一种有效降低ＳｉＣ介电常数的淀积工艺。随着器件尺寸愈来愈小，互连ＲＣ延迟对器件开启速度影响愈来愈大。目前人们用Ｃｕ和低介电材料来减少ＲＣ互连延迟。在Ｃｕ工艺中人们大多采用ＳｉＣ充当刻蚀停...