一种化学机械抛光用的抛光头结构制造技术

一种用于化学机械抛光的抛光头结构，其特征是，加压气囊由多个相互独立的加压气囊腔组成。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于化学机械抛光
，具体涉及一种可在抛光时调节抛光片各部分压力的抛光头(Head)结构，用以提高抛光产品的片内均匀性和边缘均匀性。技术背景在目前的集成电路生产中，化学机械抛光(chemical mechanical polish，CMP)是不可或缺的工艺设备。为提高片内均匀性(within wafer non-uniformity，WIWNU)，人们采取了多种方法和措施，如控制限位环(retaining ring)的压力(在MIRRA设备中)，在抛光垫下设计多个压力区(在LAM TERES设备中)等。这些方法能有效地控制硅片表面形貌以及边缘的不均匀性。但在实际生产中，仍经常会出现硅片边缘抛光不均匀的现象。这里面有工艺设定的原因，也有设备本身的因素。现有的旋转型抛光设备如MIRRA中，由于只有一个加压气囊，片内均匀性和边缘均匀性很难同时得到优化(见图1)；而直线型设备如LAMTERES中，由于压缩空气喷嘴是在抛光垫下(见图2)，抛光垫的刚性使压力调节区不是很精细，有时不能非常细微地调节各部分压力，也会出现两者不能兼顾的情况。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种新的用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械抛光的抛光头结构，其特征是，加压气囊由多个相互独立的加压气囊腔组成。2.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：储佳，
申请(专利权)人：上海华虹集团有限公司，上海集成电路研发中心有限公司，
类型：实用新型
国别省市：