【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路制造工艺
,具体涉及一种底部抗反射薄膜结构。ARC的发展经过了顶部抗反射薄膜(TARC)和底部抗反射薄膜(BARC)两个阶段。目前主要使用的是BARC,而BARC又分为有机、无机两种。有机BARC通常如同光刻胶一样通过spin-on的方法涂敷在硅片上,而无机BARC一般是指SiON薄膜,通过PECVD方法淀积。无机BARC和有机BARC的工作方式有很大不同。一般要求有机BARC的折射率与光刻胶匹配,这样可以消除入射光在光刻胶-BARC界面的反射。此外,有机BARC还要可以吸收光线,所以光线在通过BARC时就已经被吸收了,而不会到达下一个界面发生发射。有机BARC一般比较厚。无机BARC则是通过相消干涉工作,也就是说既有光线从光刻胶-BARC界面反射,也有光线从BARC-衬底界面反射,而如果这两种不同的反射光相位相反,则会发生相消,从而起到消除反射的作用。可以通过调整BARC薄膜的折射率(n)、消光系数(k)和薄膜厚度(t)来获得最好的效果。有机BARC具有以下优点成本低、折射率重复性好、平面性好(在对景深要求高时,这个优点就突出了)、同时由于是有机物质,可以返工,见附图说明图1。但是它的缺点在于与光刻胶同为有机物质,因此在刻蚀时存在选择比差的问题,会造成“吃胶”现象。此外还会造成一定的CD(特征尺寸)损失。无机BARC的优点是厚度控制精确、可以调节薄膜的成分,对光刻胶的刻蚀选择比比有机BARC高,此外因为是无机的,可以承受一定的离子轰击,因此CD损失要小,易于刻蚀的实现。而且因为无机BARC,如SiON,一般很薄且是保形的 ...
【技术保护点】
一种底部抗反射薄膜结构,其特征在于采用有机BARC与无机BARC复合的底部抗反射薄膜结构,其中,无机BARC淀积在硅片表面,有机BARC涂敷在无机BARC上面,在有机BARC上面涂敷光刻胶;有机BARC要与无机BARC相兼容。
【技术特征摘要】
1.一种底部抗反射薄膜结构,其特征在于采用有机BARC与无机BARC复合的底部抗反射薄膜结构,其中,无机BARC淀积在硅片表面,有机BARC涂敷在无机BARC上面,在有机BARC上面涂敷光刻胶;有机BARC要与无机BARC相兼容。2.根据权利要求1所述的底部抗反射薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡恒升,
申请(专利权)人:上海华虹集团有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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