一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺。所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为在膜厚方向上从上到下折射率依次减小并且无明显分界的多层膜结构；所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜中与所述半导体器件相接触的为底层抗反射薄膜，所述底层抗反射薄膜折射率最小。本发明专利技术的氮氧化硅渐变抗反射薄膜具有渐变的折射系数，当入射光照射到抗反射薄膜上时，通过渐变的抗反射薄膜实现入射光的不停偏转，最后达到相应的器件，从而在实现高光透射的同时具有更高的收拢性，减少光的损失或干扰，增加器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺。
技术介绍
抗反射薄膜广泛应用于汽车玻璃，太阳能电池以及CMOS传感器等领域，其目的是减少光的反射以实现更多的透射率。由于入射光的入射角度广，现有技术的折射率不变的抗反射薄膜会导致一部分的光线被斜射出去而不能到达对应光学器件造成光的损失，或者斜射入相邻器件继而造成信号干扰，如附图1所示。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺，解决了现有技术中部分光线容易被抗反射薄膜斜射出去而不能到达光学器件或射入相邻器件造成信号干扰的技术问题。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜沉积在半导体器件上，所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为在膜厚方向上从上到下折射率依次减小并且无明显分界的多层氮氧化硅(SiOxNy)结构；所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜中与所述半导体器件相接触的为底层抗反射薄膜，所述底层抗反射薄膜的折射率最小。 在上述技术方案的基础上，本专利技术还可以做如下改进。进一步，所述氮氧化硅抗反射薄膜从上到下的各氮氧化硅层中，氧和氮的比例逐渐增大。进一步，所述氮氧化硅抗反射薄膜各层的折射率从1.92到1.46逐渐减小。一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜的制备方法，包括以下步骤:(I)提供半导体器件；(2)采用PECVD工艺，调整沉积腔中沉积温度为320~550°C，反应压强为120~150Pa,在沉积腔中通入SiH4气体、NH3气体和N2O气体的混合气体，固定所述SiH4气体和NH3气体的流量分别为60cm3/min和40cm3/min,调整所述N2O气体的流量在15~45cm3/min之间逐渐增大，形成一由上到下折射率依次减小并且无明显分界的氮氧化硅抗反射薄膜。进一步，所述氮氧化硅抗反射薄膜从上到下的各氮氧化硅层中，氧和氮的比例逐渐增大。进一步，所述氮氧化硅抗反射薄膜各层的折射率从1.92到1.46逐渐减小。本专利技术的有益效果是:本专利技术的氮氧化硅抗反射薄膜具有渐变的折射系数(n)，当入射光照射到抗反射薄膜上时，通过渐变的抗反射薄膜实现入射光的不停偏转，最后达到相应的器件，从而在实现高光透射的同时具有更高的收拢性，减少光的损失或干扰，增加器件的性能。【附图说明】图1为本专利技术为现有技术中抗反射薄膜的光路图；图2为本专利技术的氮氧化硅渐变抗反射薄膜的光路图；图3为本专利技术的氮氧化硅渐变抗反射薄膜制备方法的流程图。【具体实施方式】以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图2所示，为本专利技术的氮氧化硅渐变抗反射薄膜的光路图，如图2所示，所述氮氧化硅渐变抗反射薄 膜沉积在半导体器件上，所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为在膜厚方向上从上到下折射率依次减小并且无明显分界的多层氮氧化硅(SiOxNy)结构；所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜上表面还沉积有一层氧化层，所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜中与所述氧化层相接触的为顶层抗反射薄膜，与半导体器件相接触的为底层抗反射薄膜，所述顶层抗反射薄膜的折射率最大，为1.92，所述底层抗反射薄膜的折射率最小，为1.46。本实施例中，所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为具有多层膜结构的氮氧化硅(SiOxNy)抗反射薄膜，所述氮氧化硅抗反射薄膜从上到下的各层中，氧和氮的比例逐渐增大，即从上到下的各层氮氧化硅薄膜中，氧的含量逐渐增大，氮的含量逐渐减少。本实施例中，所述氮氧化硅抗反射薄膜的制备方法，包括以下步骤:(I)提供半导体器件；(2)采用PECVD工艺，调整沉积腔中沉积温度为400°C，反应压强为150Pa，在沉积腔中通入SiH4气体、NH3气体和N2O气体的混合气体，固定所述SiH4气体和NH3气体的流量分别为60cm3/min和40cm3/min,调整所述NH3气体的流量在15~45cm3/min之间逐渐增大，从而形成一由上到下折射率依次减小并且无明显分界的氮氧化硅抗反射薄膜。在其他实施例中，所述沉积腔中沉积温度为320~550°C的任意数值，反应压强为120~150Pa的任意数值，通过改变所述SiH4气体、NH3气体和N2O气体的流量，调整所述氮氧化硅抗反射薄膜各层的氮和氧的含量，从而控制所述氮氧化硅抗反射薄膜从上至下各层的折射率逐渐减小。本专利技术的抗反射薄膜具有渐变的折射系数(η)，当入射光照射到抗反射薄膜上时，通过渐变的抗反射薄膜实现入射光的不停偏转，最后达到相应的器件，从而在实现高光透射的同时具有更高的收拢性，减少光的损失或干扰，增加器件的性能。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜，所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜沉积在半导体器件上，其特征在于：所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为在膜厚方向上从上到下折射率依次减小并且无明显分界的多层氮氧化硅(SiOxNy)结构；所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜中与所述半导体器件相接触的为底层抗反射薄膜，所述底层抗反射薄膜的折射率最小。

【技术特征摘要】
1.一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜，所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜沉积在半导体器件上，其特征在于:所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为在膜厚方向上从上到下折射率依次减小并且无明显分界的多层氮氧化硅(SiOxNy)结构；所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜中与所述半导体器件相接触的为底层抗反射薄膜，所述底层抗反射薄膜的折射率最小。2.根据权利要求1所述的氮氧化硅渐变抗反射薄膜，其特征在于:所述氮氧化硅抗反射薄膜从上到下的各氮氧化硅层中，氧和氮的比例逐渐增大。3.根据权利要求1述的氮氧化硅渐变抗反射薄膜，其特征在于:所述氮氧化硅抗反射薄膜各层的折射率从1.92到1.46逐渐减小。4.一种权利要求1~3任一所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜的制备方法，包括以下步骤: (1)提供半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪齐元，黄海，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42