一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法技术

技术编号:10318265 阅读:275 留言:0更新日期:2014-08-13 19:16
本发明专利技术公开了一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法,在连续式磁控溅射设备上,在合适的镀膜环境下,通过镀膜设备工艺参数优化,可在玻璃、PET、PI等上进行AZO导电膜的镀膜,实现室温下AZO导电膜的连续式生,本发明专利技术在16~26℃的温度环境下实现AZO导电膜的镀膜过程,无须进行加热,避免了加热引起的基材变形甚至扭曲起来,导致薄膜不均匀,可明显提高AZO薄膜的均匀性,并有效提高AZO薄膜的附着力,同时增加的基材的可选范围,降低了镀膜的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法
本专利技术涉及太阳能、光电行业的AZO导电膜制造领域,尤其是涉及一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法。
技术介绍
透明导电膜目前已被广泛的应用于太阳能电池、触摸屏板、显示器等行业,特别是薄膜太阳能电池,透明导电膜是薄膜太阳能电池结构中重要的组成部分,作为薄膜太阳能的前电极,把光伏作用产生的电荷收集并引导向蓄电池或电器使用,自然要求透明导电膜具有足够低的方块电阻,即较高的电导率;同时由于处于薄膜电池中太阳光首先透过的部分,太阳光需要穿过后才到达PIN结或PN结实现光伏发电,这就要求透明导电膜具有较高的透光率。因此,作为太阳能电池使用的透明导电膜必须同时具备足够低的方块电阻和足够高的太阳光透过率,这一要求可扩展至触摸屏版、显示器等电子信息行业。太阳能电池的发 电效率很大程度上取决于进入太阳能电池内部的太阳光能量,因此,为最大程度的提高薄膜太阳能电池的光电转换效率,必须尽可能提高电池对太阳光的吸收利用,尽可能减少进入薄膜太阳能电池内的太阳光的损失,即增加进入太阳能电池内部的透过率,这就要求在满足方块电阻的前提下,充分提高前电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,对待镀膜的基材进行盘刷、滚刷清洗并进行烘干或者静电除尘,去除待镀膜的基材的镀膜面的杂质,将处理后的待镀膜的基材进行烘干之后送入洁净室;步骤二,镀膜设备为连续式磁控溅射镀膜设备,靶材为AZO靶材,AZO靶材的纯度为3N以上,将待镀膜的基材从洁净室放入连续式磁控溅射镀膜设备的工艺腔体,对工艺腔体进行抽真空,本底真空度要求优于5×10‑4Pa;步骤三,向工艺腔体内充入工艺气体,使工艺腔体内气压保持在0.1~0.7Pa,镀膜环境要求空气洁净度达到十万量级,湿度50%以下,温度在16~26℃之间,开启续式磁控溅射镀膜设备的...

【技术特征摘要】
1.一种室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,对待镀膜的基材进行盘刷、滚刷清洗并进行烘干或者静电除尘,去除待镀膜的基材的镀膜面的杂质,将处理后的待镀膜的基材进行烘干之后送入洁净室; 步骤二,镀膜设备为连续式磁控溅射镀膜设备,靶材为AZO靶材,AZO靶材的纯度为3N以上,将待镀膜的基材从洁净室放入连续式磁控溅射镀膜设备的工艺腔体,对工艺腔体进行抽真空,本底真空度要求优于5X 10_4Pa ; 步骤三,向工艺腔体内充入工艺气体,使工艺腔体内气压保持在0.1=0.7Pa,镀膜环境要求空气洁净度达到十万量级,湿度50%以下,温度在16~26°C之间,开启续式磁控溅射镀膜设备的阴极电源,对基材的镀膜面进行溅射镀膜,其中调整连续式磁控溅射镀膜设备镀膜的工艺参数为:靶材溅射功率为f5w/cm 2,靶材与基材间的距离为l(T25cm,基材传输速度为0.5~3.0m/min。2.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法,其特征在于,步骤二中所述的AZO靶材中用于掺杂的Al2O3比例范围在广3%。3.根据权利要求1所述的室温下AZO导电膜的连续式磁控溅射镀膜方法,其特征在于,步骤三中工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘战合周钧韩汇如孙斌
申请(专利权)人:江苏汇景薄膜科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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