【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种提高二氧化钒薄膜相变幅度的表面微结构，包括：以三氧化二铝为基底，在基底的一半面积上排列了一层二氧化硅纳米球，另一半不排球，接着在整片基底上沉积有一层二氧化钒薄膜。与传统的单一二氧化钒薄膜结构(相变幅度为1-2个数量级)相比，本专利技术制备的可提高二氧化钒薄膜相变幅度的表面微结构(相变幅度为2-3个数量级)，可以显著提高二氧化钒薄膜的相变幅度且操作工艺简单可重复性高。【专利说明】一种提高二氧化钒薄膜相变幅度的表面微结构
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种提高二氧化钒薄膜相变幅度的表面微结构。
技术介绍
二氧化钒是一种具有热致半导体一金属相变特性的材料，相变温度为68°C且相变具有可逆性。当温度低于68°C时，二氧化钒为单斜金红石结构(半导体态)；当温度高于68°C时，二氧化钒为四方金红石结构(金属态)。通常情况下，由于块状二氧化钒在多次相变后容易发生断裂，应用中一般将二氧化钒制备成延展性较好的薄膜以克服这一不利影响。在相变过程中，二氧化钒薄膜不仅在电学性质上发生改变其光学性质也发生了巨大的变化。在相变温度点附近，二...
【技术保护点】
一种提高二氧化钒薄膜相变幅度的表面微结构，其特征在于，所述可提高二氧化钒薄膜相变幅度的表面微结构包括：以三氧化二铝为基底，在基底的一半面积上排列了一层二氧化硅纳米球，另一半不排球，接着在整片基底上沉积有一层二氧化钒薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：梁继然，刘星，李娜，吴劢君，胡明，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
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