一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利属于光通信设备加工领域，尤其涉及一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜。
技术介绍
硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有着惊人的运算能力。无论多么复杂的数学问题、物理问题和工程问题，也无论计算的工作量有多大，工作人员只要通过计算机键盘把问题告诉它，并下达解题的思路和指令，计算机就能在极短的时间内把答案告诉你。这样，那些人工计算需要花费数年、数十年时间的问题，计算机可能只需要几分钟就可以解决。甚至有些人力无法计算出结果的问题，计算机也能很快告诉你答案。而在光通信设备的制造中，常常需要以硅为基底，在其上氧化出一层二氧化硅隔离层，但现有设备的控制精度较差。专利技术专利内容针对以上现有存在的问题，本专利技术专利提供一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，结构简单，常用在光通信设备的制造中，能够快速高效地在硅片上氧化出一层二氧化硅隔离层，且其控制精度较好。本专利技术专利的技术方案在于：本专利技术专利提供一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，包括导气直管、隔热盖、内罐、支撑罐、均热罐和加热圈，所述均热罐和所述加热圈安装在所述支撑罐内且三者的竖直中心线在同一直线上，所述加热圈处于所述均热罐和所述支撑罐之间，所述内罐插入到所述均热罐内且其上端通过其上挡圈安装在所述支撑罐外，所述隔热盖安装在所述支撑罐上且其中心线与所述内罐的中心线处于同一竖直直线上，所述导气直管穿过所述隔热盖并固定安装在所述内罐上端。进一步地，所述导气直管下端距离所述内罐底部的距离是硅片上所需二氧化硅层厚度的2倍到3倍。进一步地，所述加热圈采用高阻值电阻绕制而成。本专利技术专利由于采...
【技术保护点】
一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，其特征在于：包括导气直管、隔热盖、内罐、支撑罐、均热罐和加热圈，所述均热罐和所述加热圈安装在所述支撑罐内且三者的竖直中心线在同一直线上，所述加热圈处于所述均热罐和所述支撑罐之间，所述内罐插入到所述均热罐内且其上端通过其上挡圈安装在所述支撑罐外，所述隔热盖安装在所述支撑罐上且其中心线与所述内罐的中心线处于同一竖直直线上，所述导气直管穿过所述隔热盖并固定安装在所述内罐上端。
【技术特征摘要】
1.一种快速热氧化方法制备的相变二氧化钒薄膜，其特征在于：包括导气直管、隔热盖、内罐、支撑罐、均热罐和加热圈，所述均热罐和所述加热圈安装在所述支撑罐内且三者的竖直中心线在同一直线上，所述加热圈处于所述均热罐和所述支撑罐之间，所述内罐插入到所述均热罐内且其上端通过其上挡圈安装在所述支撑罐外，所述隔热盖安装在所述支撑罐上且其中心线与所述内罐的中...
【专利技术属性】
技术研发人员：华平壤，陈朝夕，
申请(专利权)人：派尼尔科技天津有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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