五氧化二钒光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。光电探测器由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其中，五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；方法是先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水混合后超声，得到VO2(A)纳米线分散液，之后，先将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其退火后，于定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的两端安装电极，制得目的产物。它的暗电流和光电流以及两者间的差值均较大，极易于广泛地应用于光电探测领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电探测器及制备方法，尤其是一种五氧化二钒光电探测器及其制备方法。
技术介绍
五氧化二钒的带隙为2.3eV，其激发波长位于可见光区域，当可见光照射到五氧化二钒上时，激发价带上的电子跃迁到导带，从而导致电阻发生变化，通过检测电流值的变化可实现光电探测。近年来，人们为了实现五氧化二钒的光电探测，作了一些有益的尝试和努力，如题为“Centimeter-Long V2O5Nanowires:From Synthesis to Field-Emission,Electrochemical,Electrical Transport,and Photoconductive Properties”，Adv.Mater.,Vol.22,Page 2547-2552,2010，(“厘米长五氧化二钒纳米线：从合成到场发射，电化学，电输运和光电导性能”，《先进材料》2010年第22卷第2547～2552页)的文章。该文中记载的产物为由水热法合成的80～120nm宽、厘米长的单根五氧化二钒纳米线，产物作为光敏元件进行光电性能测试时，被置于SiO2/Si衬底上，使用波长450nm的激光或可见本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种五氧化二钒光电探测器，由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其特征在于：所述五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；所述组成定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的五氧化二钒纳米线的线直径为200～600nm、线长为10～50μm。

【技术特征摘要】
1.一种五氧化二钒光电探测器，由附于衬底上的、两端置有电极的五氧化二钒光敏元件组成，其特征在于：所述五氧化二钒光敏元件为定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列；所述组成定向有序排列的五氧化二钒纳米线致密阵列的五氧化二钒纳米线的线直径为200～600nm、线长为10～50μm。2.根据权利要求1所述的五氧化二钒光电探测器，其特征是衬底为氧化硅衬底，或玻璃衬底，或陶瓷衬底。3.根据权利要求1所述的五氧化二钒光电探测器，其特征是电极为金电极，或铂电极，或银电极，或铜电极。4.根据权利要求1所述的五氧化二钒光电探测器，其特征是五氧化二钒光敏元件的受光面积为0.7～1.3mm×15～25μm。5.一种权利要求1所述五氧化二钒光电探测器的制备方法，包括水热法，其特征在于主要步骤如下：步骤1，先使用水热法得到VO2(A)纳米线，再将VO2(A)纳米线和水按照重量比为1：800～1200的比例混合后，超声至少10min，得到VO2(A)纳米线分散液；步骤2，先按照VO2(A)纳米线分散液和氯仿的重量比为1：≥0.8的比例，将VO2(A)纳米线分散液滴加入氯仿中，待VO2(A)纳米线于氯仿表面自组装成定向有序排列的致密阵列后，使用衬底将其捞起，得到其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底，再将其上覆有VO2(A)纳米线定向有序排列的致密阵列的衬底置于36...

【专利技术属性】
技术研发人员：付文标，费广涛，张立德，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽;34