二氧化钒薄膜忆阻存储器制造技术
【技术实现步骤摘要】
二氧化钒薄膜忆阻存储器
本技术涉及一种存储器，特别是一种基于相变特性实现存储的二氧化钒薄膜忆阻存储器，该类型存储器将是今后高密度型存储器件的发展趋势。
技术介绍
随着科技的发展，信息呈现爆炸式增长，为了完成对海量信息的存储与快速读写，要求速度更快、容量更大、功耗更低、体积更小、寿命更长、可靠性更高的存储器。目前成熟的存储技术包括DRAM,SRAM和Flash等；其存储技术均采用晶体管构建存储位元，随着微电子技术与工艺遵循摩尔定律的高速发展，集成规模不断扩大，然而CMOS工艺尺寸已经逐步接近其理论极限尺寸，工艺尺寸的限制以及极限尺寸下的工作低可靠性等严峻问题将对未来发展形成重大的阻碍。
技术实现思路
针对现有存储技术中存在的问题，本技术提供一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，具有提高存储密度的潜力。本技术是通过以下技术方案来实现：一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，包括微控制器、电压脉冲发生器、二氧化钒薄膜、用于控制二氧化钒薄膜环境温度的恒温器和放大电路，微控制器与电压脉冲发生器连接，电压脉冲发生器与二氧化钒薄膜连接，二氧化钒薄膜与放大电路连接，恒温器的控制系统及放大电路分别与微控制器连接。进一步，放大电路与微控制器之间还连接有A/D转换电路。本技术的有益技术效果：本技术二氧化钒薄膜忆阻存储器，是利用相变特性的一种高密度存储器件，可同时实现多位信息的存储；二氧化钒薄膜忆阻器所用的薄膜制备工艺成熟与当前集成电路工艺兼容性较好，降低了成本，有利于忆阻器的实际应用。附图说明图1是本技术的系统框架图；图中，1、二氧化钒薄膜材料、2、电压脉冲发生器，3、恒温器，4、微控制器，5、二氧化钒薄膜...
【技术保护点】
一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，其特征是：包括微控制器、电压脉冲发生器、二氧化钒薄膜、用于控制二氧化钒薄膜环境温度的恒温器和放大电路，微控制器与电压脉冲发生器连接，电压脉冲发生器与二氧化钒薄膜连接，二氧化钒薄膜与放大电路连接，恒温器的控制系统及放大电路分别与微控制器连接。
【技术特征摘要】
1.一种二氧化钒薄膜忆阻存储器，其特征是：包括微控制器、电压脉冲发生器、二氧化钒薄膜、用于控制二氧化钒薄膜环境温度的恒温器和放大电路，微控制器与电压脉冲发生器连接，电压脉冲发生器与二氧化钒薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：卜毅，邹继军，朱志甫，邓文娟，彭新村，
申请(专利权)人：东华理工大学，
类型：新型
国别省市：江西,36
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