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本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种氮氧化硅渐变抗反射薄膜及其制备工艺。所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜为在膜厚方向上从上到下折射率依次减小并且无明显分界的多层膜结构；所述氮氧化硅渐变抗反射薄膜中与所述半导体器件相接触的为底层抗反射薄膜，所述底...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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