用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法技术

技术编号:13504421 阅读:128 留言:0更新日期:2016-08-10 04:19
本发明专利技术提供可用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件相对于金属导电材料例如钴、钌和铜以及绝缘材料而言选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物。所述去除组合物含有至少一种氧化剂和一种蚀刻剂,可含有各种腐蚀抑制剂以确保选择性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种用于从上面具有氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的微电子器件的表面选择性去除氮化钛和/或光致抗蚀剂蚀刻残余物材料的组合物,所述组合物包含至少一种氧化剂、至少一种蚀刻剂、至少一种金属腐蚀抑制剂、至少一种螯合剂和至少一种溶剂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈丽敏斯蒂芬·里皮埃马纽尔·I·库珀宋凌雁
申请(专利权)人:高级技术材料公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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