【技术实现步骤摘要】
本专利技术是申请日为2014年04月30日，申请号为2014101829375，专利技术名称为“ITO膜刻蚀液”的专利技术专利的分案申请。
本专利技术涉及电子产品生产领域，具体涉及一种对ITO膜进行刻蚀的刻蚀液。
技术介绍
ITO膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层，并经高温退火处理得到的高技术产品。由于ITO导电膜具有低电阻率，高可见光透过率、高红外反射、对衬底具有很好的附着性、抗擦伤等诸多优良的物理性能以及良好的化学稳定性等特点，因此被广泛应用于各类触摸屏上。在生产过程中，为获得所需各种像素的精细图像，需对ITO膜进行刻蚀处理，亦即在氧化铟锡层上覆涂光刻胶，接着通过曝光和显影，形成所需图案，再用蚀刻液进行蚀刻，在基板上形成透明的电极图案。但是现有的刻蚀液应用于ITO膜刻蚀时，容易因刻蚀产生的残渣或泡沫造成刻蚀精度差、刻蚀面粗糙等问题，并且刻蚀的效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供...
【技术保护点】
一种对ITO膜进行刻蚀的刻蚀液，其是由以下重量组分配制得到：1.5重量份的1、2‑乙二磺酸，0.6重量份的三氟甲基磺酸，2.5重量份的亚乙基二胺四甲叉膦酸钠，7重量份的草酸，88.4重量份的蒸馏水。
【技术特征摘要】
1.一种对ITO膜进行刻蚀的刻蚀液，其是由以下重量组分配制得到：
1.5重量份的1、2-乙二磺酸，0.6重量份的三氟甲基磺酸，2.5重量份的
亚乙基二胺四...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。