一种LED芯片P面电极、制备P面电极用刻蚀液及P面电极制备方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片P面电极、制备P面电极用刻蚀液及P面电极制备方法，属于LED电极制备技术领域。本发明专利技术的P面电极包括接触电极和焊线电极，接触电极包括第一镀金层、金铍层和第二镀金层，焊线电极的第一镀钛层厚度为镀铝层的厚度为第二镀钛层的厚度为本发明专利技术的刻蚀液包括钛刻蚀液、铝刻蚀液和金刻蚀液，组成简单、配比合理，避免了电极金属层厚度增加造成的湿法刻蚀电极图形变形问题，本发明专利技术P面电极的制备方法，对LED芯片P面电极依次进行光刻和湿法刻蚀处理以获得厚度适度增加的焊线电极，工艺简单，重复性好。本发明专利技术很好的解决了焊线电极与封装导线之间的虚焊、脱离问题。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片P面电极及P面电极制备方法
本专利技术涉及LED电极制备
，更具体地说，涉及一种LED芯片P面电极及P面电极制备方法。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种具有发光效率高、耗电量小、寿命长、发热量低、体积小、环保节能等诸多优点的照明器件，因而具有广泛的应用市场，如汽车、背光源、交通灯、大屏幕显示、军事等领域。LED芯片的常规结构包括一个在通电后产生光辐射的半导体发光结构，以及此半导体结构与外界电源相连的电极。LED芯片设计的重点在于提高半导体结构的光辐射效率以及提高半导体结构与外界电源的连接质量。通常LED芯片的P面电极分为上下两层：第一层为接触电极，接触电极和LED芯片P面形成欧姆接触，降低电极和芯片P面的接触电阻，使电流通过电极传导至LED芯片P面时电阻较小，提高外量子效应和降低芯片的发热；第二层为焊线电极，用于电极和封装导线的接触。LED芯片P面第一层电极的制作方法是在LED芯片的P面通过真空镀膜技术分别蒸镀金/金铍/金层，后光刻电极图形腐蚀形成接触电极，最后通过合金形成欧姆接触；第二层电极是再次通过真空镀膜技术蒸镀钛/铝或者钛/金层，后进行对位光刻电极图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片P面电极，包括接触电极和焊线电极，其特征在于：所述的接触电极包括第一镀金层(11)、金铍层(12)和第二镀金层(13)，所述的第一镀金层(11)的厚度为金铍层(12)的厚度为第二镀金层(13)的厚度为所述的焊线电极包括第一镀钛层(21)、镀铝层(22)和第二镀钛层(23)，第一镀钛层(21)的厚度为镀铝层(22)的厚度为第二镀钛层(23)的厚度为

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片P面电极，包括接触电极和焊线电极，其特征在于：所述的接触电极包括第一镀金层(11)、金铍层(12)和第二镀金层(13)，所述的第一镀金层(11)的厚度为金铍层(12)的厚度为第二镀金层(13)的厚度为所述的焊线电极包括第一镀钛层(21)、镀铝层(22)和第二镀钛层(23)，第一镀钛层(21)的厚度为镀铝层(22)的厚度为第二镀钛层(23)的厚度为2.根据权利要求1所述的一种LED芯片P面电极，其特征在于：所述的第一镀金层(11)的厚度为金铍层(12)的厚度为第二镀金层(13)的厚度为所述的第一镀钛层(21)的厚度为镀铝层(22)的厚度为第二镀钛层(23)的厚度为3.一种如权利要求1或2所述的LED芯片P面电极的制备方法，其步骤为：步骤一、接触电极的制备：a、真空镀膜：在LED芯片P面依次蒸镀第一镀金层(11)、金铍层(12)和第二镀金层(13)，第一镀金层(11)的厚度为金铍层(12)的厚度为第二镀金层(13)的厚度为b、光刻：对经步骤a镀膜后的金属层进行光刻蚀处理，不需刻蚀的区域使用正性光刻胶保护；c、湿法刻蚀：对经步骤b处理后的LED芯片P面接触电极各金属层进行湿法刻蚀，然后去胶清洗；d、合金：对经步骤c处理后的LED芯片进行高温融合处理；步骤二、焊线电极的制备：e、真空镀膜：在LED芯片P面接触电极上依次蒸镀第一镀钛层(21)、镀铝层(22)和第二镀钛层(23)，第一镀钛层(21)的厚度为镀铝层(22)的厚度为第二镀钛层(23)的厚度为f、光刻：对经步骤e镀膜后的金...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐鹏，李有群，廖伟，秦坤，廉鹏，
申请(专利权)人：马鞍山太时芯光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34