厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法技术

本发明专利技术公开了一种厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法，该方法在金属铝层刻蚀后，仅通入水汽，在水汽化环境中去除光刻胶。本发明专利技术在不改变厚铝刻蚀方法的前提下，通过优化去胶条件，减少了厚铝侧壁聚合物的堆积，从而降低了侧壁聚合物的腰带效应，确保了后续湿法刻蚀后，厚铝侧壁无胶残留；同时，还减少了气体的使用量和去胶时间。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
厚铝刻蚀工艺中光刻胶的去除方法，其特征在于，在金属铝层刻蚀后，只通入水汽，在水汽化环境中去除光刻胶。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭振华，虞颖，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31