【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路的制造工艺方法,特是涉及一种。
技术介绍
铝(Al)是集成电路制造的后道工艺中被最广泛使用的一种金属。铝的优点包括电阻系数比大部份金属低;在表面会自行生成一层致密的氧化物,因此耐腐蚀;与二氧化硅绝缘层的附着性好;铝的淀积和刻蚀技术较成熟等。虽然随着对半导体元件性能要求的提高和铜后道工艺的成熟,铝在最先进的MOS和RAM制造工艺中逐渐被铜取代,但在整个半导体制造工业中,铝制程仍然占很大的比例。这种情况在可预见的将来还会持续下去。在传统的铝后道制程中,一般是先淀积金属铝膜,用刻蚀法制成内连线(interconnect),再反填二氧化硅介电质层(其厚度大于内连线和栓塞的总高度)。用化学机械抛光(CMP)平坦化过填的二氧化硅,然后在经过平坦化的介电质层上面刻蚀出栓塞孔。利用物理气相淀积(PVD)或化学气相淀积(CVD)的方法淀积阻散层(barrier metal),例如用钛/氮化钛作阻散层,再利用CVD将金属钨填入孔内形成栓塞(Via)。最后用化学机械抛光(CMP)磨除过填的钨,制成嵌于介电质间的连接上一层的栓塞结构。重复上述流程完成后道各层制造。这种工艺虽然成熟,但对阻散层在段层及侧壁的覆盖均一性,金属的填孔性都有较高要求。栓塞与内连线的整合性也没有平面淀积的好,增加了层间电阻。另外这种工艺,需要经过一次二氧化硅介电质层的CMP和一次昂贵的金属钨的CMP,流程复杂,成本较高。所以对这种工艺进一步优化,简化流程,提高成品率,降低费用,有很大的应用价值。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种,它可以优化现有的铝制程后道工 ...
【技术保护点】
一种铝连线制程的金属双刻蚀工艺方法,其特征在于,首先,淀积连线和栓塞金属层,在该金属层上涂布光刻胶,然后刻蚀栓塞,接着除去光刻胶后,再涂布光刻胶,然后先光刻内连线图形,再刻蚀内连线并除去光刻胶,随后一次性淀积二氧化硅介电层,最后用CMP去除并平坦化过填的介电质,实现铝连线的层内连线和层间栓塞结构。
【技术特征摘要】
1.一种铝连线制程的金属双刻蚀工艺方法,其特征在于,首先,淀积连线和栓塞金属层,在该金属层上涂布光刻胶,然后刻蚀栓塞,接着除去光刻胶后,再涂布光刻胶,然后先光刻内连线图形,再刻蚀内连线并除去光刻胶,随后一次性淀积二氧化硅介电层,最后用CMP去除并平坦化过填的介电质,实现铝连线的层内连线和层间栓塞结构。2.根据权利要求书1所述的铝连线制程的金属双刻蚀工艺方法,其特征在于,所述的淀积连线和栓塞金属层是依次淀积铝、钛/氮...
【专利技术属性】
技术研发人员:方精训,李文强,伍强,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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