减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法技术

一种减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　提供一具有ＭＯＳ半导体组件的基板，在该具有ＭＯＳ半导体组件的基板上，由下而上依次设有一介电层、一铝金属导电层及一图案化光致抗蚀涂层；　　　　利用氯气及三氯化硼所组成的等离子气体进行一刻蚀过程及通入氮气或三氟甲烷做该铝金属导电层侧墙的保护；　　　　以该图案化光致抗蚀涂层为掩膜，对该铝金属导电层进行该刻蚀过程，并在反应腔室内壁上形成一沉积物；　　　　加入一四氟化碳及一二氮化二氢于该刻蚀过程结束后，该四氟化碳及该二氮化二氢与该沉积物进行一反应，并生成数种不同的气体及一新组合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种减少沉积物的方法，特别涉及一种减少铝刻蚀工艺中反应腔室产生沉积 物的方法。
技术介绍
在集成电路制作技术中，金属化(metallization)是指在组件主体完成后，依据电路设计， 通过金属膜连接，将组件内不同部分，或各个组件之间做适当的连结。铝在集成电路中是最 广泛被使用的一种金属，它已经被使用了将近三十年，因为它有很多优点，所以到目前为止， 大部分的集成电路还是以它做为金属连接的材料。铝的优点在于铝的电阻系数比大部分的金 属低，并且会自行在表面生成一层致密的氧化层(A1A)，不会因腐蚀导致断线，影响组件特 性，再加上铝对于二氧化硅的附着性良好，和成熟的沉积技术与刻蚀技术，使得在制作多种 金属连接内连接时，铝还是受到重视。现有技术所进行半导体的铝金属刻蚀，其结构即为(铝/氮化钛/基板)，于此结构上方在 加上图案化光致抗蚀涂层后，将氯气等离子化来进行刻蚀，在等离子化时会产生氯原子(C1)， 铝和氯反应产生具挥发性的三氯化铝(AlCl3)，三氯化铝可随其它腔内的气体一起被抽离。除 此之外，可加入一些卤化物，如三氯化硼(BCl3)及三氟甲垸(CHF3)等等，通过这些卤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法，其特征在于包括以下步骤：提供一具有ＭＯＳ半导体组件的基板，在该具有ＭＯＳ半导体组件的基板上，由下而上依次设有一介电层、一铝金属导电层及一图案化光致抗蚀涂层；利用氯气及三氯化硼所组成的等离子气体进行一刻蚀过程及通入氮气或三氟甲烷做该铝金属导电层侧墙的保护；以该图案化光致抗蚀涂层为掩膜，对该铝金属导电层进行该刻蚀过程，并在反应腔室内壁上形成一沉积物；加入一四氟化碳及一二氮化二氢于该刻蚀过程结束后，该四氟化碳及该二氮化二氢与该沉积物进行一反应，并生成数种不同的气体及一新组合物。

【技术特征摘要】
1、 一种减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法，其特征在于包括以下步骤提供一具有MOS半导体组件的基板，在该具有MOS半导体组件的基板上，由下而上依次设有一介电层、一铝金属导电层及一图案化光致抗蚀涂层；利用氯气及三氯化硼所组成的等离子气体进行一刻蚀过程及通入氮气或三氟甲烷做该铝金属导电层侧墙的保护；以该图案化光致抗蚀涂层为掩膜，对该铝金属导电层进行该刻蚀过程，并在反应腔室内壁上形成一沉积物；加入一四氟化碳及一二氮化二氢于该刻蚀过程结束后，该四氟化碳及该二氮化二氢与该沉积物进行一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张双熏，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31