光电二极管装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种光电二极管装置，其包括有第一型基底，且第一型基底上设置有两个第一型晶体管，并在第一型基底内且位于两个第一型晶体管之间设有重第二掺杂型阱，另外在第一型基底内的浅表面且位于两个第一型晶体管之间设有一第一掺杂型掺杂区，同时在第一型基底内的浅表面且位于第一掺杂型掺杂区与第一型晶体管之间亦设有一第二掺杂型掺杂区，最后在第一型基底的表面上则设置一个与第一掺杂型掺杂区接触的接触端。因此本发明专利技术提供一种光电二极管装置，可让电子聚集更加有效率，并且具有消除饱和扩散作用以及改善串音问题的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电二极管，特别涉及一种具有高效率电子聚集的光电二极管。
技术介绍
互补式金属氧化半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, COMS)影像传感器 的主要功能是将光能转变成电子讯号，而利用所获得的电子讯号可在经由模拟/数字转换计算 出电子讯号量之后，透过数字均衡器将讯号转换成数字信息，接着利用数学算法将所有信息 合成，即可将真实世界的色彩数据转化成0与1的数字数据，所以光能转变成电子讯号的质量 决定着成像质量，而在COMS影像传感器中，光电二极管扮演着光电转换组件的角色，其感光 特性亦将控制着成像质量。请参阅图l所示，其为现有光电二极管的结构，如图所示， 一光电二极管2的结构包括有 一P型外延片4， 一形成于P型外延片4上的P型基底6，而在P型基底6内形成有二P型阱8、 8'， 在P型基底6内且位于二P型阱8、 8'之间则形成有一与二P型阱8、 8'相邻接的N—型掺杂区IO， 另外在二P型阱8、 8'的P型基底6的表面上分别形成有栅极结构12、 12'，而在二栅极结构12、 12'的两侧且位于二P型阱8、 8'的P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电二极管装置，其特征在于包括：一第一型基底；二第一型晶体管，其位于该第一型基底上；一重第二掺杂型阱，其设于该第一型基底内，并位于该二第一型晶体管之间；一第一掺杂型掺杂区，其设在该第一型基底内的浅表面，且位于该二第一型晶体管之间；一第二掺杂型掺杂区，其设在该第一型基底内的浅表面，且位于该第一掺杂型掺杂区与该第一型晶体管之间；一接触端，其设置于该第一型基底的表面上，并与该第一掺杂型掺杂区接触。

【技术特征摘要】
1、 一种光电二极管装置，其特征在于包括一第一型基底；二第一型晶体管，其位于该第一型基底上；一重第二掺杂型阱，其设于该第一型基底内，并位于该二第一型晶体管之间；一第一掺杂型掺杂区，其设在该第一型基底内的浅表面，且位于该二第一型晶体管之间；一第二掺杂型掺杂区，其设在该第一型基底内的浅表面，且位于该第一掺杂型掺杂区与该第一型晶体管之间；一接触端，其设置于该第一型基底的表面上，并与该第一掺杂型掺杂区接触。2、 根据权利要求1所述的光电二极管装置，其特征在于该第一型基底为P型基底，该 第一掺杂型为P型，该第二掺杂型为N型，且该二第一型晶体管分别为一第一 P型晶体管与 一第二P型晶体管。3、 根据权利要求2所述的光电二极管装置，其特征在于，该第一P型晶体管包括 一第一N型阱，其位于该第一型基底内，并与该重第二掺杂型阱邻接； 一第一栅极结构，其位于该第一N型阱的该第一型基底的表面上；二第一 P型掺杂区，其设于该第一栅极结构两侧且位于该第一 N型阱的该第一型基底内 的浅表面；一第一浅沟槽隔离，其设置于该第一 N型阱的该第一型基底内，并位于该第一掺杂型掺 杂区与该第一P型掺杂区之间。4、 根据权利要求2所述的光电二极管装置，其特征在于该第二P型晶体管包括 一第二N型阱，其位于该第一型基底内，并分别与该重第二掺杂型阱以及该第二掺杂型掺杂区邻接；一第二栅极结构，其位于该第二N型阱的该第一型基底的表面上；二第二 P型掺杂区，其设于该第二栅极结构两侧且位于该第二 N型阱的该第一型基底内 的浅表面；一第二浅沟槽隔离，其设置于该第二 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄圣扬，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]