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本发明提供一种光电二极管装置，其包括有第一型基底，且第一型基底上设置有两个第一型晶体管，并在第一型基底内且位于两个第一型晶体管之间设有重第二掺杂型阱，另外在第一型基底内的浅表面且位于两个第一型晶体管之间设有一第一掺杂型掺杂区，同时在第一型基...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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