闪存结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种闪存结构及其制造方法，其在一半导体基底表面利用介电间隙物来形成一Ｐ型多晶硅层做为浮动栅极；再于其上形成一绝缘介电层及一控制栅极，且该控制栅极覆盖该Ｐ型浮动栅极，以完成一闪存组件的构造。本发明专利技术能降低费米能级，维持电性的质量的条件下，可有效降低隧穿氧化层（ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　　ｏｘｉｄｅ）厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种降低穿遂氧化层厚度的闪存结构 及其制造方法。
技术介绍
闪存(Flash memory )是一种近年来最常见的非挥发性内存(Non-Volatile Memory; NVRAM )，虽然其具有寿命长(可重复使用千万次)、制造成本低、运用稳定等优点，因此被广 泛运用于数字相机、录音笔、拇指碟等各式电子产品上。闪存，其储存的单位称为一个基本 位(Cell)，其内部组件M0S的栅极(Gate)和通道(Channel)间，比传统的只有一层氧化绝缘层 (gate oxide)，又多增加了一层浮动栅(floating gate)。也因为有这一层浮动栅，使得闪 存可以运作三种模式写入、读出、抹除。当负电子被注入浮动栅时，此一cell就从数位l 被写为0，当负电子被移走后，此一cell相当于从0变为1，相当于抹l^的动作。另外随着 采用众多技术来对浮动栅注入或移走内部储存的负电荷，使得闪存可以有重复读写的特性， 并且闪存在电源中断后，依然能够保有基本位内部的数据。图1为现有技术的结构图，它是在一半导体基底IO表面上依次形成一栅氧化层12 (隧穿 氧化层，tunnel本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存组件的构造，其特征在于包括：一半导体基底，其内设有多个离子掺杂区域，以分别作为源极及漏极，且在该基底表面已形成有一氧化层；一浮动栅极，其覆迭于该源极和漏极之间的该半导体基底上，并以该氧化层将源极和漏极隔离；一绝缘介电层，位于该浮动栅极表面与露出的该氧化层表面；以及一控制栅极，其迭设于该绝缘介电层的表面而覆盖住该尖角结构；该浮动栅极为一降低隧穿效应作用的Ｐ型多晶硅层。

【技术特征摘要】
1、 一种闪存组件的构造，其特征在于包括一半导体基底，其内设有多个离子掺杂区域，以分别作为源极及漏极，且在该基底表面已形成有一氧化层；一浮动栅极，其覆迭于该源极和漏极之间的该半导体基底上，并以该氧化层将源极和漏极隔离；一绝缘介电层，位于该浮动栅极表面与露出的该氧化层表面；以及一控制栅极，其迭设于该绝缘介电层的表面而覆盖住该尖角结构；该浮动栅极为一降低隧穿效应作用的P型多晶硅层。2、 根据权利要求1所述的闪存组件的构造，其特征在于该浮动栅极是以非等向性刻蚀 工艺完成的浮动栅极。3、 根据权利要求1所述的闪存组件的构造，其特征在于该绝缘介电层为一包含氧化物 -氮化物-氧化物(0N0)或包含氮化物-氧化物(N0)的介电层构造。4、 根据权利要求1所述的闪存组件的构造，其特征在于该绝缘介电层为氧化物或者氮 化物或者氧化物与氮化物两者的组合物。5、 一种闪存组件的制造方法，其特征在于包括下列步骤 提供一已定义有有源区域的半导体基底，并在该基底表面沉积一氧化层； 在该氧化层表面形成一已定义的图案化第一介电层，以露出该有源区域； 沉积一 P型多晶硅层于该基底上，以覆盖该有源区域及该第一介电层； 在该P型多晶硅层表面沉积一第二介电层；对该第二介电层进行非等向性刻蚀，以在该P型多晶硅层突起处形成介电间隙物； 以该介电间隙物为掩膜，对该P型多晶硅层进行刻蚀，使其在该第一介电层间的有源区域内形成多晶硅间隙壁，以作为浮动栅极，接着再去除该第一介电层； 对该基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]