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本发明提供一种闪存结构及其制造方法，其在一半导体基底表面利用介电间隙物来形成一Ｐ型多晶硅层做为浮动栅极；再于其上形成一绝缘介电层及一控制栅极，且该控制栅极覆盖该Ｐ型浮动栅极，以完成一闪存组件的构造。本发明能降低费米能级，维持电性的质量的条件...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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