一种金属引线的刻蚀方法技术

本发明专利技术提供了一种金属引线的刻蚀方法，用于具有刻蚀腔及剥离腔的等离子刻蚀设备中，该剥离腔中设置有用于放置晶圆的置放台及用于抬升并支撑晶圆的抬升支撑机构。现有技术在剥离光阻时晶圆始终放置在置放台上，致使附着在晶圆表面的活性氯元素未被去除干净而腐蚀金属引线。本发明专利技术的方法先在刻蚀腔中通入氯气进行刻蚀；然后再将刻蚀后的晶圆放置在置放台上，并加热该剥离腔至预定温度；之后驱动剥离腔至一稳定状态，并对晶圆进行初次钝化；接着进行光阻剥离；然后驱动剥离腔至该稳定状态，并对晶圆再次进行钝化；最后通过抬升支撑机构将该晶圆抬升至离开置放台的位置，再对该晶圆进行第三次钝化。采用本发明专利技术的方法可避免活性氯元素残留而腐蚀金属引线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属引线的刻蚀，特别涉及。
技术介绍
刻蚀金属形成金属引线通常包括刻蚀金属和剥离光刻胶两个步骤，其分别 在等离子刻蚀设备的刻蚀腔及剥离腔中进行，其中，所述剥离腔中设置有一用 于放置晶圆的置放台和一用于抬升晶圓离开置放台并支撑晶圓的抬升支撑机构，金属引线的刻蚀具体包括以下步骤U)将需进行刻蚀的晶圆设置在刻蚀 腔中，并通入氯气进行刻蚀以形成所需金属引线；(b)将刻蚀后的晶圆放置在 置放台上，并加热所述剥离腔至280摄氏度；(c )驱动剥离腔至一稳定状态， 并对所述晶圆进行第一次钝化；(d)进行光阻剥离；(e)驱动剥离腔至所述 稳定状态，并对所述晶圓进行第二次钝化。在完成上述步骤后，晶圓会通过抬 升支撑机构离开置放台，然后由其他诸如机械手的输出模块将所述完成刻蚀及 剥离的晶圓输出至外界。但是，晶圆在完成上述步骤(a)后的，其表面会粘附有氯气或氯原子等活 性氯元素，而后续的步骤均在剥离腔的置放台上进行操作，置放台的面积很大， 故附着在晶圆表面的活性氯元素很难被反应气体带走，所述活性氯元素会腐蚀 金属引线，实验证明，经过上述处理的晶圓在前端开口片盒(F0UP)中置放78 小时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属引线的刻蚀方法，用于一具有刻蚀腔及剥离腔的等离子刻蚀设备中，该剥离腔中设置有一用于放置晶圆的置放台以及一用于抬升晶圆离开置放台并支撑晶圆的抬升支撑机构，该方法包括以下步骤：（１）将需进行刻蚀的晶圆设置在刻蚀腔中，并通入氯气进行刻蚀以形成所需金属引线；（２）将刻蚀后的晶圆放置在置放台上，并加热该剥离腔至一预定温度；（３）驱动剥离腔至一稳定状态，并对该晶圆进行第一次钝化；（４）进行光阻剥离；（５）驱动剥离腔至该稳定状态，并对该晶圆进行第二次钝化；其特征在于，该方法还包括步骤（６），通过抬升支撑机构将该晶圆抬升至离开置放台的位置，再对该晶圆进行第三次钝化。

【技术特征摘要】
1、一种金属引线的刻蚀方法，用于一具有刻蚀腔及剥离腔的等离子刻蚀设备中，该剥离腔中设置有一用于放置晶圆的置放台以及一用于抬升晶圆离开置放台并支撑晶圆的抬升支撑机构，该方法包括以下步骤(1)将需进行刻蚀的晶圆设置在刻蚀腔中，并通入氯气进行刻蚀以形成所需金属引线；(2)将刻蚀后的晶圆放置在置放台上，并加热该剥离腔至一预定温度；(3)驱动剥离腔至一稳定状态，并对该晶圆进行第一次钝化；(4)进行光阻剥离；(5)驱动剥离腔至该稳定状态，并对该晶圆进行第二次钝化；其特征在于，该方法还包括步骤(6)，通过抬升支撑机构将该晶圆抬升至离开置放台的位置，再对该晶圆进行第三次钝化。2、 如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法，其特征在于，该抬升支撑机 构与晶圆接触的面积小于该置放台与晶圆接触的面积。3、 如权利要求2所述的金属引线的刻蚀方法，其特征在于，该抬升支撑机 构为与晶圆相匹配且对称分布的支撑柱。4、 如权利要求1所述的金属引线的刻蚀方法，其特征在于，在步骤(2) 中，加热剥离腔时剥离腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼丰瑞，张京晶，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]