半导体器件后段通孔的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件后段通孔的制造方法，涉及半导体后段制造领域。该制造方法包括如下步骤：提供半导体基体，对半导体基体的绝缘层进行镀光刻胶步骤、曝光步骤、显影步骤；进行蚀刻步骤，在绝缘层上形成通孔；进行灰化步骤，将剩余的光刻胶移除，且灰化步骤的温度条件范围是２０－５０摄氏度；进行湿法清洗步骤。与现有技术相比，本发明专利技术的制造方法通过在低温条件下进行灰化步骤，避免了因高温条件的灰化步骤造成通孔附近的金属互连线出现凹形缺陷的现象，从而提高产品的成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件后段(BEOL)的制造工艺，具体地说，涉及一种后 段通孔的制造方法。
技术介绍
半导体器件后段包括数层金属互连层，每层互连层的金属互连线需要用绝 缘层进行隔离，该绝缘层被称为层间介质(ILD)。另外，后段最高互连层上面 还有一层绝缘层被称为钝化层。在后段工艺中，需要对上述绝缘层制造通孔， 在所述通孔内沉积金属，以电性连接不同层的金属互连线。以在后段的钝化层上制造通孔为例，现有的制造方法是首先在钝化层上 镀光刻胶，进行曝光及显影步骤，然后进行蚀刻步骤，形成与下层金属互连层 的金属互连线相通的通孔；然后进行等离子灰化步骤，去除光刻胶，该灰化步 骤一般采用较高的温度条件，即250摄氏度左右或更高温度；随后进行湿法清 洗步骤将灰化步骤中残留的有机物或者聚合物清除。采用现有通孔制造方法， 检测后发现，通孔附近的部分金属互连线具有数个凹形缺陷，其影响了互连金 属线的导电特性。金属互连线的材料一般选用铜或铝两种材料，而且一般材料 内会含有少量的其他金属。以金属互连线采用的铝材料为例，使用的铝材料一 般还会含有其他杂质金属如少量的铜，在上述高温条件的灰化步骤中，铜原子 很容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件后段通孔的制造方法，其包括如下步骤：提供半导体基体，对半导体基体的绝缘层进行镀光刻胶步骤、曝光步骤、显影步骤；进行蚀刻步骤，在绝缘层上形成通孔；进行灰化步骤，将剩余的光刻胶移除；进行湿法清洗步骤，其特征在于，灰化步骤的温度条件范围是２０－５０摄氏度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件后段通孔的制造方法，其包括如下步骤提供半导体基体，对半导体基体的绝缘层进行镀光刻胶步骤、曝光步骤、显影步骤；进行蚀刻步骤，在绝缘层上形成通孔；进行灰化步骤，将剩余的光刻胶移除；进行湿法清...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建茹，宋铭峰，张水友，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]