温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半导体器件后段通孔的制造方法，涉及半导体后段制造领域。该制造方法包括如下步骤：提供半导体基体，对半导体基体的绝缘层进行镀光刻胶步骤、曝光步骤、显影步骤；进行蚀刻步骤，在绝缘层上形成通孔；进行灰化步骤，将剩余的光刻胶移除，且灰...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。