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一种减少金属刻蚀工艺反应腔室产生沉积物的方法，其特征在于包括以下步骤：　　　　提供一具有ＭＯＳ半导体组件的基板，在该具有ＭＯＳ半导体组件的基板上，由下而上依次设有一介电层、一铝金属导电层及一图案化光致抗蚀涂层；　　　　利用氯气及三氯化硼所组...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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